[發明專利]使用疊層差異的設計和校正

有效

• 申請號: 201780069903.7
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN110140087B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 蔣愛琴;A·J·登鮑埃夫;K·巴塔查里亞;H·范德拉恩;B·菲瑟;M·J·J·杰克
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G01N21/956;H01L21/66
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

一種方法包括：獲得是用于圖案化過程的、是量測目標的疊層差異參數的函數的所述量測目標的重疊的數據的擬合；以及通過硬件計算機使用所述擬合的斜率以：(i)區分一個量測目標測量選配方案與另一個量測目標測量選配方案；或者(ii)計算重疊的校正值；或者(iii)指示利用所述量測目標獲得的重疊測量值應該被使用或者不應該被使用，以配置或修改所述圖案化過程的方面；或者(iv)選自(i)至(iii)中的任意組合。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年11月10日遞交的US申請No.62/420,375的優選權，該US申請的全部內容以引用的方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及能夠用于例如通過光刻技術制造器件的檢查(例如量測)的方法和設備，并且涉及使用光刻技術制造器件的方法。

背景技術

光刻設備是將期望的圖案施加到襯底上(通常施加到襯底的目標部分上)的機器。光刻設備可以用于制造例如集成電路(IC)。在這種情況下，圖案形成裝置(其可替代地被稱作掩模或掩模版)可以用于產生待形成于IC的單層上的電路圖案。該圖案可以轉印到襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如，包括管芯的一部分、一個或多個管芯)上。通常經由成像到設置于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案的轉印。通常，單個襯底將包含連續圖案化的相鄰目標部分的網絡。

在圖案化過程(即，產生包含圖案化(諸如光刻曝光或壓印)的器件或其它結構的過程，其通?？梢园ㄒ粋€或更多個相關的處理步驟，諸如抗蝕劑的顯影、蝕刻等)中，期望確定一個或更多個感興趣的參數(例如，使用一個或更多個模型進行測量、模擬等，所述模型將圖案化過程的一個或更多個方面模型化)，諸如結構的臨界尺寸(CD)、形成于襯底中或襯底上的連續層之間的重疊誤差等。

期望確定用于通過圖案化過程而產生的結構的這樣的一個或更多個感興趣的參數，并且將它們用于與圖案化過程相關的設計、控制和/或監測，例如用于程序設計、控制和/或驗證?？梢詫D案化結構的已確定的一個或更多個感興趣的參數用于圖案化過程設計、校正和/或驗證、缺陷檢測或分類、良率估計和/或過程控制。

因此，在圖案化過程中，期望頻繁地對所產生的結構進行測量，例如以用于過程控制和驗證。用于進行這種測量的各種工具是已知的，包括經常用于測量臨界尺寸(CD)的掃描電子顯微鏡，以及用于測量重疊(器件中兩個層的對準準確度的量度)的專用工具?？梢砸罁蓚€層之間的對準不良的程度來描述重疊，例如，對所測得的1nm的重疊的提及可以描述兩個層對準不良為1nm的情形。

已經開發出了多種形式的檢查設備(例如量測設備)以供光刻領域中使用。這些器件將輻射束引導到目標上，并且測量改變方向的(例如散射的)輻射的一個或更多個屬性-例如，作為波長的函數的在單一反射角處的強度；作為反射角的函數的在一個或更多個波長處的強度；或者作為反射角的函數的偏振-以獲得“光譜”，可以根據該“光譜”確定目標的感興趣的屬性。可以通過多種技術執行感興趣的屬性的確定，例如，通過諸如嚴密耦合波分析或者有限元法的迭代方法、庫搜尋和主成份分析而進行的目標的重建。