[發明專利]質譜分析

有效

• 申請號: 201780069889.0
• 申請日: 2017-09-12
• 公開（公告）號: CN109937465B
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 彼得·歐康納;瑪麗亞·安德烈亞·范阿格托文
• 申請（專利權）人: 華威大學
• 主分類號: H01J49/00
• 分類號: H01J49/00;H01J49/42
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 魏彥;洪玉姬

1.一種進行二維質譜分析的方法，包括：

·使用靜電或電動離子阱來容納多個離子，每個離子都具有質荷比，具有第一多個質荷比的所述離子，每個離子沿著所述靜電或電動離子阱內的路徑，其中所述路徑具有半徑；以及

·對于所述靜電或電動離子阱中的第二多個所述質荷比的每個：

ο依賴于質荷比，以質荷比依賴的方式調整所述離子的半徑；

ο以半徑依賴的方式碎裂由此調整的所述離子；以及

ο測定所述離子的質譜。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述靜電或電動離子阱包括線性離子阱(LIT)或四極離子阱或三維離子阱。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述靜電或電動離子阱包括其離子具有一致震蕩頻率的離子阱。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半徑的調整包括調整施加到所述離子的電場。

5.根據權利要求4所述的方法，包括施加由延遲分開的激發脈沖，所述延遲提供所述質荷比依賴性。

6.根據權利要求4所述的方法，包括施加在頻率上調整的調整激發脈沖。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述頻率是這樣：使得提供與具有所述質荷比的離子的振蕩頻率的共振。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述調整激發脈沖包括存儲波形逆傅里葉轉換(SWIFT)和存儲波形離子半徑調整(SWIM)脈沖中的至少一個。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半徑的調整包括優先地將具有所述質荷比的離子的半徑改變為具有不同半徑的路徑，或者優先地將不具有所述質荷比的離子的半徑改變為具有不同半徑的路徑。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，碎裂所述離子的步驟包括碎裂穿過碎裂區域的離子。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，所述半徑的調整將離子半徑調整到所述碎裂區域之內和/或之外。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，使用以下儀器的組的至少一種來測定所述質譜：

飛行時間(TOF)質譜儀測定所述質譜；

傅立葉變換離子回旋共振(FTICR)；

線性離子阱(LIT)；以及

軌道阱質譜儀。

13.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中，使用三重四極桿(QQQ)質譜儀測定所述質譜。

14.一種二維質譜儀器，包括靜電或電動離子阱和用于所述靜電或電動離子阱的控制電路，所述靜電或電動離子阱配置成容納多個離子，每個離子都具有質荷比，具有第一多個質荷比的所述離子，所述靜電或電動離子阱包括電極，所述電極包括至少兩個軸向捕獲電極，多個徑向捕獲電極和至少一個激發電極，其中，所述控制電路布置成使得：

·向每個激發電極施加電壓，以便在使用時容納由所述電極限定的空間內的多個離子，每個離子沿著所述靜電或電動離子阱內的路徑，其中所述路徑具有半徑；以及

·對于所述靜電或電動離子阱中的第二多個所述質荷比的每個，依賴于所述離子的質荷比調整所述離子的半徑；

所述儀器還包括布置成以半徑依賴的方式碎裂由此調整的所述離子的碎裂裝置；以及布置成測定所述離子質譜的質量測定裝置。

15.根據權利要求14所述的儀器，其中，所述靜電或電動離子阱包括線性離子阱(LIT)或四極離子阱或三維離子阱。

16.根據權利要求14所述的儀器，其中，所述靜電或電動離子阱包括其離子具有一致震蕩頻率的離子阱。