[發明專利]閥裝置、使用該閥裝置的流量控制方法和半導體制造方法

有效

• 申請號: 201780069196.1
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN109952459B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 吉田俊英;中田知宏;篠原努;稻田敏之;船越高志
• 申請（專利權）人: 株式會社富士金
• 主分類號: F16K31/02
• 分類號: F16K31/02;F16K31/122
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

提供一種流量調整用工時被大幅度地削減了的閥裝置。具有：閥體(10)，其劃分出流路(12)；閥芯(20)，其被設為能夠開閉閥體的流路(12)；操作構件(40)，其用于操作閥芯，被設為能夠在使閥芯(20)開閉流路(12)的開閉方向(A1、A2)上在預先設定的使閥芯(20)關閉流路的關閉位置(CP)與使閥芯(20)打開流路(12)的打開位置(OP)之間移動；主致動器(60)，其用于使操作構件(40)向打開方向(A1)移動；以及壓電致動器(100)，其用于調整被定位于打開位置(OP)的操作構件(40)的位置。

技術領域

本發明涉及一種閥裝置、使用該閥裝置的流量控制方法和半導體制造方法。

背景技術

在半導體制造工藝中，為了將已準確地計量的處理氣體供給至處理室，而使用被稱作集成化氣體系統的流體控制裝置，該集成化氣體系統集成有開閉閥、調節器、質量流量控制器等各種流體控制設備。將該集成化氣體系統收納于盒而成的部件被稱作氣體盒。

通常，將從上述氣體盒輸出的處理氣體直接供給至處理室，但在通過原子層沉積法(ALD：Atomic Layer Deposition法)使膜沉積于基板的處理工藝中，為了穩定地供給處理氣體而將從氣體盒供給來的處理氣體暫時儲存于作為緩沖儲存器的罐，使設于處理室的跟前的閥以高頻率開閉，將來自罐的處理氣體供給向真空氣氛的處理室。另外，作為設于處理室的跟前的閥，參照例如專利文獻1、2。

ALD法是化學氣相沉積法之一，是這樣的方法：在溫度、時間等成膜條件下，使兩種以上的處理氣體一種一種地在基板表面上交替流動，與基板表面上的原子反應而逐層地沉積膜，能夠對單原子層逐層地控制，因此能夠形成均勻的膜厚，對于膜質，也能夠使膜非常致密地沉積。

在基于ALD法的半導體制造工藝中，需要精密地調整處理氣體的流量，并且由于基板的大口徑化等還需要將處理氣體的流量確保為一定程度。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-64333號公報

專利文獻2：日本特開2016-121776號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，在氣動式閥的情況下，難以通過氣壓調整、機械式調整對流量精密地調整。另外，在基于ALD法的半導體制造工藝中，處理室周邊為高溫狀態，因此閥容易受到溫度的影響。此外，由于以高頻率使閥開閉，因此容易發生閥的經時變化、經年變化，流量調整作業需要龐大的工時。

本發明的一目的在于提供一種能夠確保流體的流量并且能夠精密地調整流量的閥裝置。

本發明的另一目的在于提供一種能夠大幅度地削減流量調整工時的閥裝置。

本發明的又另一目的在于提供一種能夠立刻執行流量調整的閥裝置。

本發明的又另一目的在于提供一種使用上述閥裝置的流量控制方法、流量控制裝置、半導體制造裝置和半導體制造方法。

用于解決問題的方案

本發明的閥裝置的特征在于，

該閥裝置具有：

閥體，其劃分出流路；

閥芯，其被設為能夠開閉所述閥體的流路；

操作構件，其用于操作所述閥芯，被設為能夠在使所述閥芯開閉流路的開閉方向上在預先設定的使所述閥芯關閉流路的關閉位置與預先設定的使所述閥芯打開流路的打開位置之間移動；