[發明專利]導熱性膏和電子裝置在審
| 申請號: | 201780068006.4 | 申請日: | 2017-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN110024092A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發明(設計)人: | 牧原康二 | 申請(專利權)人: | 住友電木株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;C08K3/00;C08L101/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;池兵 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導熱性 導熱性填料 潤濕 熱固性樹脂 電子裝置 平均粒徑 沉降 | ||
1.一種導熱性膏,其包含熱固性樹脂和導熱性填料,所述導熱性膏的特征在于:
由下述的測量方法計算出的潤濕擴展面積的比例為90%以上,
當設所述導熱性填料的平均粒徑D50為D,設除了所述導熱性填料以外的該導熱性膏在室溫25℃的粘度為η,設該導熱性膏中的所述導熱性填料的沉降度為S=D2/η時,S為8[10-12·m3·s/kg]以上900[10-12·m3·s/kg]以下,
潤濕擴展面積的測量方法:
使用5cc的注射器,將該導熱性膏以呈對角線狀交叉的方式涂敷在引線框的表面,接著,在室溫25℃靜置8小時,接著,以50g、50ms的負荷將2mm×2mm的厚度0.525mm的硅裸片經由該導熱性膏安裝在所述引線框上后,計算該導熱性膏的所述潤濕擴展面積相對于所述硅裸片的表面的比例。
2.根據權利要求1所述的導熱性膏,其特征在于:
該導熱性膏的固化物的導熱系數為5W/mK以上。
3.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
所述導熱性填料的平均粒徑D50為0.1μm以上10μm以下。
4.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
所述導熱性填料的D95為15μm以下。
5.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
所述導熱性填料包含金屬、氧化物或氮化物。
6.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
相對于該導熱性膏整體,所述導熱性填料的含量為50質量%以上88質量%以下。
7.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
所述熱固性樹脂的重均分子量為100以上500以下。
8.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
所述熱固性樹脂包含具有聯苯骨架的樹脂。
9.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
所述熱固性樹脂包含環氧樹脂。
10.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
包含固化劑。
11.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
包含丙烯酸化合物。
12.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
包含反應性稀釋劑。
13.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
包含固化促進劑。
14.根據權利要求1或2所述的導熱性膏,其特征在于:
不包含溶劑。
15.一種電子裝置,其特征在于:
包括權利要求1至14中任一項所述的導熱性膏的固化物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





