[發明專利]用于光刻過程的優化的方法有效
| 申請號： | 201780066481.8 | 申請日： | 2017-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN109891324B | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發明（設計）人： | E·C·摩斯;J·S·威爾登伯格;E·J·M·沃勒伯斯;M·范德斯卡;弗蘭克·斯塔爾斯;F·H·A·葉利奇 | 申請（專利權）人： | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 張啟程 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 光刻 過程 優化 方法 | ||
1.一種用于改善光刻過程的成品率的方法，所述方法包括：
確定整個襯底的性能參數的參數指紋，所述參數指紋包括與所述性能參數的不確定性相關的信息；
確定整個所述襯底的性能參數的過程窗口指紋，過程窗口與所述性能參數的可允許范圍相關聯；以及
使用所述參數指紋和所述過程窗口指紋來確定與所述性能參數在可允許范圍之外的概率相關聯的概率度量。
2.根據權利要求1所述的方法，還包括：基于所述概率度量來確定對所述光刻過程的校正。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，通過光刻設備內的校正裝置來施加所述校正。
4.根據權利要求2所述的方法，其中，通過處理站內的校正裝置來應用所述校正。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述處理站是蝕刻站、沉積站或拋光站。
6.根據權利要求2所述的方法，其中，通過在管芯的子集上對所述概率進行積分來計算所述概率度量。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述管芯的子集是完全曝光的管芯。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述管芯的子集是在所述襯底上的內部區域處被曝光的管芯。
9.根據權利要求2所述的方法，其中，所述校正優化所述性能參數處于可允許范圍內的多個管芯。
10.根據權利要求2所述的方法，其中，所述校正使各管芯被正確地形成在一個或更多個層中的累積概率優化。
11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述性能參數是聚焦參數、劑量參數、CD參數、重疊參數、側壁角度參數和邊緣放置參數中的一者。
12.一種用于改善光刻過程的成品率的方法，所述方法包括：
獲得與襯底的至少一部分相關聯的性能參數數據，其中，所述性能參數數據被用來控制所述光刻過程；
確定所述襯底的至少一部分的性能參數的過程窗口指紋，所述過程窗口與所述性能參數的可允許范圍相關聯；以及
修改所述性能參數數據，該修改基于該修改對所述光刻過程的成品率的預期影響。
13.根據權利要求12所述的方法，還包括：基于修改后的性能參數數據來控制所述光刻過程。
14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述性能參數數據的所述修改包括所述性能參數數據的放大或抑制。
15.一種用于改善光刻過程的成品率的方法，所述方法包括：
確定整個襯底的性能參數的不確定性指紋；
確定整個所述襯底的性能參數的過程窗口指紋，過程窗口與所述性能參數的可允許范圍相關聯；
確定與所述性能參數在可允許范圍之外的概率相關聯的概率度量；以及
基于所述概率度量來確定量測目標在所述襯底上的位置。
16.一種用于改善光刻過程的成品率的方法，所述方法包括：
確定整個襯底的性能參數的不確定性指紋；
確定整個所述襯底的性能參數的過程窗口指紋，過程窗口與所述性能參數的可允許范圍相關聯；
確定與所述性能參數在可允許范圍之外的概率相關聯的概率度量；以及
基于所述概率度量來確定量測目標在所述襯底上的測量位置。
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