[發明專利]碳化鉭的評價方法

有效

• 申請號: 201780065450.0
• 申請日: 2017-11-07
• 公開（公告）號: CN109863387B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 野口駿介;大矢信之
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G01N21/27
• 分類號: G01N21/27;C30B23/06;C30B29/36;G01J3/50
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

一種碳化鉭的評價方法，是根據色度來對碳化鉭的碳化率進行評價的碳化鉭的評價方法，作為一例，使用分光光度計或照相機來測定碳化鉭的顏色，基于由L＊a＊b＊表色系而數值化了的該碳化鉭的色度，對該碳化鉭的碳化率進行評價。

技術領域

本發明涉及碳化鉭的評價方法。

本申請基于2016年11月8日在日本提出申請的專利申請2016－218082號來主張優先權，在此引用其內容。

背景技術

碳化鉭的硬度高，耐熱性優異。碳化鉭的熔點極高，為3880℃。因此，碳化鉭被用作在高溫下使用的各種構件的材料。例如，碳化鉭被用于切削工具的部件、碳加熱器的涂層、聚光型太陽能電池和SiC單晶所代表的半導體制造裝置的構件等(參照專利文獻1和專利文獻2)。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2011/081210號

專利文獻2：日本特開2015－36189號公報

專利文獻3：日本特開2013－103848號公報

專利文獻4：日本特開2012－171812號公報

發明內容

碳化鉭是組成式由TaC表示的鉭的碳化物。在化學計量組成比中，鉭和碳以1比1存在。但是，實際的碳化鉭有時鉭和碳的比率不完全為1比1。例如，作為碳化鉭的亞穩態，已知有TaC_0.89。

當構成碳化鉭的鉭與碳的比率偏離化學計量組成比時，碳化鉭的穩定性降低。因此，在例如將碳化鉭用于涂層等情況下，可能成為開裂、剝離的原因。開裂、剝離影響到使用了碳化鉭的構件的耐熱性、耐蝕性等(參照專利文獻1)。

另外，鉭與碳的比率偏離化學計量組成比的碳化鉭在將碳化鉭用作半導體制造裝置的構件的情況下，有時影響到半導體制造裝置內的半導體晶體的生長環境。

例如，在使用了碳化鉭的構件的半導體制造裝置中使SiC單晶進行晶體生長的情況下，認為碳比率少的碳化鉭吸收碳，成為生長環境中的C/Si比變動的原因。SiC單晶的晶體生長時的C/Si比變動成為Si微滴等缺陷、異構多態性的產生原因(參照專利文獻3和專利文獻4)。

為了解決這種問題，需要測量碳化鉭的實際組成比。實際的碳化鉭中的鉭與碳的比率(以下有時稱為“碳化率”)能夠通過各種分析裝置進行分析。

但是，對于碳化鉭的碳化率的分析，需要花費時間和成本。另外，在將碳化鉭用作裝置等的構件的情況下，為了分析而需要破壞構件。一旦破壞了的構件變得不能使用，所以每次使用時都破壞構件是不現實的。

本發明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種碳化鉭的碳化率的簡單評價方法。

本發明人經過潛心研究，結果發現通過測量由碳化鉭構成的構件表面的色度就能夠分析碳化鉭的碳化率。

即，為了解決上述問題，本發明提供以下的技術方案。

(1)本發明的一技術方案涉及的碳化鉭的評價方法是根據色度對碳化率進行評價。

(2)在上述技術方案涉及的碳化鉭的評價方法中，也可以通過L＊a＊b＊表色系來測量所述色度。

(3)在上述技術方案涉及的碳化鉭的評價方法中，也可以根據使用分光光度計或照相機拍攝到的拍攝圖像來求出所述色度。

(4)在上述技術方案涉及的碳化鉭的評價方法中，所述碳化鉭可以是選自由碳化鉭構成的構件和用碳化鉭進行了表面涂敷的構件中的構件。

(5)在上述技術方案涉及的碳化鉭的評價方法中，所述構件可以是在SiC單晶生長用裝置中使用的構件。