[發明專利]碳化鉭的評價方法有效
| 申請號： | 201780065450.0 | 申請日： | 2017-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN109863387B | 公開（公告）日： | 2022-09-23 |
| 發明（設計）人： | 野口駿介;大矢信之 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G01N21/27 | 分類號： | G01N21/27;C30B23/06;C30B29/36;G01J3/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 王瀟悅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化 評價 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化鉭的檢測方法，是作為在SiC單晶生長用裝置中使用的構件的碳化鉭的檢測方法，
根據由L＊a＊b＊表色系測定的所述碳化鉭的色度和由X射線衍射測定的所述碳化鉭的晶格常數，求得所述色度與所述晶格常數的相關關系，
根據所述晶格常數與所述碳化鉭的碳化率的相關關系，求得表示所述色度與所述碳化率的關系的校正曲線，
根據所述色度對所述碳化率進行檢測，
其中，所述色度表示從色彩除去了明度的、由色相和彩度所表示的顏色特性。
2.根據權利要求1所述的碳化鉭的檢測方法，
根據使用分光光度計或照相機拍攝到的拍攝圖像來求出所述色度。
3.根據權利要求1或2所述的碳化鉭的檢測方法，
所述碳化鉭是選自由碳化鉭構成的構件和表面涂敷了碳化鉭的構件中的構件。
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