[發明專利]硅晶片用沖洗劑組合物

有效

• 申請號: 201780063904.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109844908B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 內田洋平
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/20;C11D7/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王永紅

本發明的硅晶片用沖洗劑組合物包含水溶性高分子及水，且上述水溶性高分子為含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)的Zeta電位Z與二氧化硅水分散液(水分散液S₀)的Zeta電位Z₀之差(Z－Z₀)成為25mV以下的水溶性高分子；該含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液(水分散液S)包含上述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及視需要包含的鹽酸或氨，上述水溶性高分子的濃度為0.1質量％，上述二氧化硅粒子的濃度為0.1質量％，且25℃下的pH值為7.0，該二氧化硅水分散液(水分散液S₀)包含二氧化硅粒子、水及視需要包含的鹽酸或氨，上述二氧化硅粒子的濃度為0.1質量％，且25℃下的pH值為7.0。

技術領域

本發明涉及一種硅晶片用沖洗劑組合物及使用其的硅晶片的沖洗方法、硅晶片的制造方法以及半導體基板的制造方法。

背景技術

近年來，因對半導體內存的高記錄容量化的要求提高，半導體裝置的設計規則正推進微細化。因此，于半導體裝置的制造過程中所進行的光刻法中，焦點深度變淺，對硅晶片(裸晶片)的表面缺陷(LPD：Light?point?defects，亮點缺陷)或表面粗糙度(霧度(Haze))的降低的要求變得越來越嚴格。

基于提升硅晶片的品質的目的，研磨硅晶片的研磨工序有：磨削(粗研磨)工序，其將通過將硅單晶錠切割為薄圓板狀所獲得的硅晶片平面化；及精研磨工序，其于對經磨削的硅晶片進行蝕刻后，將硅晶片表面鏡面化。尤其是于研磨的最終階段所進行的精研磨以抑制霧度，且抑制經研磨的硅晶片表面的因潤濕性提升(親水化)所引起的微?；蚬魏?、凹坑等LPD為目的而進行。

作為硅晶片的研磨中使用的研磨液組合物，揭示有一種研磨用組合物，其以霧度等級的改善為目的，包含二氧化硅粒子、羥乙基纖維素(HEC)、聚環氧乙烷及堿性化合物(專利文獻1)。揭示有一種硅晶片用研磨液組合物，其以同時實現表面粗糙度(霧度)的降低及表面缺陷(LPD)的降低為目的，包含源自羥基的氧原子數與源自聚氧亞烷基的氧原子數之比(源自羥基的氧原子數/源自聚氧亞烷基的氧原子數)為特定的范圍內的值的水溶性高分子(專利文獻2)。揭示有一種硅晶片用研磨組合物，其以抑制研磨粒的凝聚，并且降低經研磨的被研磨物表面的污染為目的，包含側鏈具有1,2-二醇結構的聚乙烯醇系樹脂、及以于pH值2.0以上的溶液中表面的Zeta電位為負且不具有等電點的方式對表面進行化學修飾而成的研磨粒(專利文獻3)。揭示有一種硅晶片用研磨組合物，其以平滑性的降低的抑制及缺陷數的降低為目的，包含羥丙甲纖維素，且研磨粒于研磨液組合物中具有負Zeta電位(專利文獻4)。揭示有一種半導體裝置用基板洗滌液，其并非為研磨液組合物，亦并非針對硅晶片表面而使用，但以可去除CMP(chemical?mechanical?polishing，化學機械研磨)工序后的半導體裝置用基板表面的污染物，而且于短時間內凈化該基板表面為目的，包含聚乙烯吡咯烷酮、聚環氧乙烷-聚環氧丙烷嵌段共聚物作為高分子凝聚劑，通過凝聚使微粒的粒徑較大，并且使微粒的Zeta電位為負而抑制微粒對半導體裝置用基板表面的附著(專利文獻5)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2004-128089號公報

專利文獻2：WO2015/060293號公報

專利文獻3：WO2014/084091號公報

專利文獻4：日本專利特開2014-154707號公報

專利文獻5：日本專利特開2012-94852號公報

發明內容

發明所解決的問題