[發明專利]硅晶片用沖洗劑組合物

有效

• 申請號: 201780063904.0
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN109844908B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 內田洋平
• 申請（專利權）人: 花王株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C11D7/04;C11D7/08;C11D7/20;C11D7/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王永紅

1.一種硅晶片用沖洗劑組合物，其包含水溶性高分子及水系介質，其中，

所述水溶性高分子為含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S的Zeta電位Z與二氧化硅水分散液即水分散液S₀的Zeta電位Z₀之差即Z－Z₀成為25mV以下的水溶性高分子，

該含有水溶性高分子的二氧化硅水分散液即水分散液S包含所述水溶性高分子、二氧化硅粒子、水及視需要包含的鹽酸或氨，所述水溶性高分子的濃度為0.1質量％，所述二氧化硅粒子的濃度為0.1質量％，且25℃下的pH值為7.0，

該二氧化硅水分散液即水分散液S₀包含二氧化硅粒子、水及視需要包含的鹽酸或氨，所述二氧化硅粒子的濃度為0.1質量％，且25℃下的pH值為7.0，

所述水溶性高分子包含選自由聚甘油、聚甘油衍生物、聚縮水甘油、聚縮水甘油衍生物、聚乙烯醇衍生物及聚丙烯酰胺所組成的組中的至少1種。

2.如權利要求1所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述差Z－Z₀為7mV以下。

3.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子為

所述水分散液S中的二氧化硅粒子的二次粒徑d與所述水分散液S₀中的二氧化硅粒子的二次粒徑d₀之比d/d₀成為1.35以下的水溶性高分子。

4.如權利要求1所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，聚甘油衍生物為聚甘油的烷基醚。

5.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其還包含堿性化合物。

6.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子包含聚甘油及聚甘油烷基醚這兩者。

7.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，聚甘油衍生物的疏水基的碳數為6以上且22以下。

8.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子的重均分子量為500以上且1,500,000以下。

9.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子為5聚物以上且5,000聚物以下。

10.如權利要求1或2所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述沖洗劑組合物中的所述水溶性高分子的含量為0.001質量％以上且1.0質量％以下。

11.如權利要求1所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子為選自由聚甘油、聚甘油衍生物、聚縮水甘油、聚縮水甘油衍生物、聚乙烯醇衍生物及聚丙烯酰胺所組成的組中的至少1種水溶性高分子a1與包含甜菜堿結構的水溶性高分子a2的混合物。

12.如權利要求11所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子為作為聚甘油衍生物的聚甘油烷基醚與包含甜菜堿結構的水溶性高分子a2的混合物。

13.如權利要求11或12所述的硅晶片用沖洗劑組合物，其中，所述水溶性高分子a1與所述水溶性高分子a2的質量比即水溶性高分子a1/水溶性高分子a2為0.5以上且500以下。