[發明專利]設置在基板處理設備中的基板放置部

在審

• 申請號: 201780061456.0
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN109791902A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 康豪哲;黃喆周
• 申請（專利權）人: 周星工程股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L21/324
• 代理公司: 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002
• 代理人: 李艷華

基板放置部的實施例涉及一種設置在基板處理設備中的基板放置部。基板放置部被分成多個內部區域和外部區域，內部區域具有內部加熱線和外部加熱線，外部區域置于基座邊緣、包圍內部區域且包括外部加熱線，其中在至少部分區域中，內部加熱線設置在相同內部區域中且具有第一間隔，設置在不同內部區域中的相應內部加熱線被設置為具有在內部加熱線彼此平行的部分中的第二間隔，內部加熱線和外部加熱線被設置為具有在內部加熱線和外部加熱線彼此平行的部分中的第三間隔，第一間隔可小于第二間隔。

技術領域

實施例涉及設置在基板處理設備中的基座，其改善了整體溫度的均勻性，能單獨調整周邊區域的溫度，且能經由調整基板拐角區域的溫度調整完成的基板產品的器件特性。

背景技術

這一部分中描述的公開內容僅僅提供與實施例相關的背景信息，而不構成現有技術。

一般，通過在基板上執行多個半導體工藝，半導體存儲元件、液晶顯示器件、有機發光器件等被制造成具有所需形狀的結構疊層。

這種半導體制造工藝例如包括在基板上沉積預定薄膜的工藝、暴露薄膜所選區域的光刻工藝和從薄膜去除所選區域的蝕刻工藝。在基板處理設備中執行用于制造半導體的基板的處理，基板處理設備包括給相應工藝產生最佳環境的工藝腔室。

在工藝腔室內部，提供待處理的基板和其上放置基板的基座，且將含有原材料的工藝氣體噴射到基板上。通過包含在工藝氣體中的原材料，例如在基板上執行沉積工藝或者蝕刻工藝。

同時，基座可被加熱以處理基板，由于可能發生不均勻加熱，因此需要改進基座。

發明內容

技術問題

因此，實施例涉及設置在基板處理設備中的基座，其提高了整體溫度的均勻性，能單獨調整周邊區域的溫度，且能通過調整基板拐角區域的溫度調整完成的基板產品的器件特性。

通過實施例實現的技術目的不限于上述技術目的，且本領域技術人員根據以下描述能清楚理解其它未提及的技術目的。

技術方案

一個實施例提供了一種設置在基板處理設備中的基座，其中基座被分成多個內部區域和外部區域，每一個內部區域具有內部加熱線和外部加熱線，外部區域被提供在基座邊緣以包圍內部區域且具有外部加熱線，其中內部加熱線的至少一些部分被以第一距離設置在相同內部區域中，其中設置在不同內部區域中的相應內部加熱線的平行部分被以第二距離設置，其中內部加熱線和外部加熱線的平行部分被以第三距離設置，其中第一距離小于第二距離。

另一實施例提供了一種設置在基板處理設備中的基座，其中基座被分成多個內部區域和外部區域，每一個內部區域具有內部加熱線和外部加熱線，外部區域被提供在基座邊緣以包圍內部區域且具有外部加熱線，其中內部加熱線的至少一些部分被以第一距離設置在相同內部區域中，其中設置在不同內部區域中的相應內部加熱線的平行部分被以第二距離設置，其中內部加熱線和外部加熱線的平行部分被以第三距離設置，其中第一距離等于第三距離或者小于第三距離。

再一個實施例提供一種設置在基板處理設備中的基座，其中基座被分成多個內部區域和外部區域，每一個內部區域具有內部加熱線和外部加熱線，外部區域被提供在基座邊緣以包圍內部區域且具有外部加熱線，其中內部加熱線的至少一些部分被以第一距離設置在相同內部區域中，其中設置在不同內部區域中的相應內部加熱線的平行部分被以第二距離設置，其中內部加熱線和外部加熱線的平行部分被以第三距離設置，其中第二距離等于第三距離或者大于第三距離。

有益效果

在實施例中，基座的整個區域被保持在均勻溫度或者其中僅具有非常輕微的溫度變化，這改善了整個基座的溫度均勻性。