[發明專利]使用堆疊引線框架的3D芯片組件

有效

• 申請號: 201780060273.7
• 申請日: 2017-09-07
• 公開（公告）號: CN109791925B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: C·A·魯尼恩;F·R·本
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H10B80/00;H01L25/065;H01L23/00;H01L23/498
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種集成電路(IC)芯片組件，包括：

包括至少第一IC芯片和第二IC芯片的IC芯片堆疊體；以及

包括至少第一引線和第二引線的引線堆疊體，所述第一引線電耦接到至少所述第一IC芯片并且在所述芯片堆疊體的周邊處結合到所述第二引線，所述第二引線電耦接到至少所述第二IC芯片。

2.根據權利要求1所述的IC芯片組件，其中：

所述第一引線包括結合到所述第一芯片的第一金屬特征件的第一部分；

所述第二引線包括結合到所述第二芯片的第一金屬特征件的第一部分；并且

所述第一引線和所述第二引線包括結合在一起的第二部分。

3.根據權利要求1所述的IC芯片組件，其中：

所述引線堆疊體包括基礎引線和設置于所述基礎引線上方的管芯附著引線；

所述第一芯片設置于所述基礎引線和所述管芯附著引線之間；

所述第二引線設置于所述管芯附著引線上方；并且

第一管芯附著引線在所述芯片堆疊體的周邊處結合到第一基礎引線。

4.根據權利要求3所述的IC芯片組件，其中，所述第一管芯附著引線結合到所述第一芯片或所述第二芯片的金屬特征件。

5.根據權利要求3所述的IC芯片組件，其中：

所述管芯附著引線還包括第一管芯附著引線和第二管芯附著引線；

所述第一芯片設置于所述基礎引線和所述第一管芯附著引線之間；

所述第二芯片設置于所述第一管芯附著引線和所述第二管芯附著引線之間；

所述第一管芯附著引線的一部分結合到所述基礎引線；并且

所述第二管芯附著引線的一部分結合到所述第一管芯附著引線的所結合的部分。

6.根據權利要求5所述的IC芯片組件，其中：

所述第一管芯附著引線的一部分結合到所述第一芯片的金屬特征件；并且

所述第二管芯附著引線的一部分結合到所述第二芯片的金屬特征件。

7.根據權利要求1所述的IC芯片組件，還包括設置于所述第一IC芯片和所述第二IC芯片之間的金屬槳狀物，所述槳狀物與所述引線中的至少一個電隔離。

8.根據權利要求1所述的IC芯片組件，還包括設置于所述第一IC芯片和所述第二IC芯片之間的金屬槳狀物，所述槳狀物將所述芯片中的每一個電耦接到公共參考電壓軌。

9.根據權利要求1所述的IC芯片組件，還包括設置于所述引線中的至少一個與所述第一IC芯片或所述第二IC芯片之間的管芯附著膏或管芯附著膜。

10.根據權利要求1所述的IC芯片組件，還包括設置于所述第一引線和所述第二引線的未結合部分之間的模制化合物。

11.一種集成電路(IC)平臺，包括：

包括多個信號焊盤的襯底；以及

根據權利要求1-10中的任一項所述的IC芯片組件，其中，所述第一引線電耦接到所述信號焊盤之一。

12.根據權利要求11所述的IC平臺，其中：

所述襯底還包括接地焊盤；并且

所述IC芯片組件還包括設置于所述第一IC芯片和所述襯底之間的金屬槳狀物，所述金屬槳狀物與所述第一引線電隔離并且電耦接到所述接地焊盤。

13.根據權利要求12所述的IC平臺，其中，所述IC芯片包括多個NAND閃存存儲器芯片。