[發(fā)明專利]壓印基板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780059530.5
• 申請(qǐng)日: 2017-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109844638A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓輝;袁大軍;M·謝恩·鮑恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 伊魯米那股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/00
• 分類號(hào): G03F7/00;H01L23/00;H01L21/033
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 胡秋玲;鄭霞

壓印基板常常用于產(chǎn)生在電氣、光學(xué)和生物化學(xué)應(yīng)用中使用的小型化設(shè)備。壓印技術(shù)(諸如納米壓印光刻)可能在基板的表面中留下殘留物，其影響結(jié)合并降低所產(chǎn)生的設(shè)備的質(zhì)量。介紹了為了提高的結(jié)合質(zhì)量而具有無(wú)殘留物區(qū)域或具有減少數(shù)量的殘留物的區(qū)域的壓印基板。還介紹了產(chǎn)生沒(méi)有來(lái)自壓印過(guò)程的殘留物的壓印基板的方法。方法包括物理去除法、選擇性蝕刻法和能量施加法。這些方法可以在基板的表面中產(chǎn)生無(wú)殘留物區(qū)域，其可用于產(chǎn)生更高強(qiáng)度的結(jié)合。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2016年9月27日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)序列號(hào)62/400,332的權(quán)益，該申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)引用以其整體并入本文。

背景

本文公開(kāi)的主題大體上涉及用于生物化學(xué)應(yīng)用的流動(dòng)池的制造的領(lǐng)域，以及更具體地涉及用于結(jié)合和封裝的改進(jìn)的基板表面的產(chǎn)生。

本章旨在向讀者介紹可能與本公開(kāi)的各種方面相關(guān)的技術(shù)的各種方面，這些方面在下面被描述和/或要求保護(hù)。這個(gè)討論被認(rèn)為在向讀者提供背景信息以便于更好地理解本公開(kāi)的各種方面時(shí)是有用的。因此，可以理解，這些陳述應(yīng)該鑒于此被解釋，而不是作為現(xiàn)有技術(shù)的承認(rèn)。

使分子生物學(xué)實(shí)驗(yàn)的執(zhí)行自動(dòng)化的設(shè)備的開(kāi)發(fā)通過(guò)大規(guī)模的研究促進(jìn)了信息的獲取。例如，聯(lián)立實(shí)驗(yàn)(simultaneous experiment)的執(zhí)行導(dǎo)致了在生物學(xué)中的幾個(gè)發(fā)現(xiàn)。作為例子，高通量、自動(dòng)DNA測(cè)序器使全基因組研究成為可能，這促使了幾種人類疾病的遺傳原因的發(fā)現(xiàn)。為了使分子生物學(xué)實(shí)驗(yàn)自動(dòng)化，這些設(shè)備常常使用帶有射流室的流動(dòng)池，一些化學(xué)反應(yīng)在其中發(fā)生。根據(jù)應(yīng)用，該設(shè)備可以控制試劑的添加和產(chǎn)物從流動(dòng)池的去除。該設(shè)備還可以被配置成監(jiān)測(cè)反應(yīng)并在整個(gè)過(guò)程中收集相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)。增加這種設(shè)備的通量的一個(gè)常見(jiàn)策略是減小室的尺寸。這允許增加室的數(shù)量和因而增加在單次迭代中執(zhí)行的聯(lián)立反應(yīng)的數(shù)量。

概述

下面闡述本文公開(kāi)的某些例子的概述。應(yīng)當(dāng)理解，這些方面僅被提出來(lái)向讀者提供這些某些例子的簡(jiǎn)要概述，以及這些方面并不意欲限制本公開(kāi)的范圍。事實(shí)上，本公開(kāi)可以包括下面可能沒(méi)有闡述的各種方面。

本公開(kāi)的例子涉及用于封裝和結(jié)合的壓印基板表面的制備以及用該技術(shù)產(chǎn)生的設(shè)備。在一些例子中，基板表面通過(guò)壓印技術(shù)后面是可能干擾基板的后續(xù)使用的殘留物的去除來(lái)制備。在其他例子中，提出了產(chǎn)生具有減少數(shù)量的殘留物或?qū)嵸|(zhì)上沒(méi)有殘留物的表面的壓印技術(shù)。在另外的例子中，公開(kāi)了用這種技術(shù)產(chǎn)生的射流設(shè)備。

在一個(gè)例子中，提供了一種用于使用剝離技術(shù)來(lái)產(chǎn)生基板的技術(shù)。在該例子中，納米壓印光刻技術(shù)后面是將殘留物焊接到另一層的需要?dú)埩粑锶コ膮^(qū)域中，以及剝離所結(jié)合的襯墊以去除大部分或全部不需要的殘留物，并產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上沒(méi)有殘留物的區(qū)域。

在另一個(gè)例子中，提供了一種用于使用蝕刻技術(shù)來(lái)產(chǎn)生基板的技術(shù)。在這個(gè)例子中，保護(hù)性光致抗蝕劑被放置在納米壓印結(jié)構(gòu)的頂部上，并且光致抗蝕劑以及不需要的納米壓印殘留物被蝕刻掉。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，蝕刻可以采用等離子體進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻。

在另一個(gè)例子中，提供了一種用于使用低殘留物納米壓印技術(shù)來(lái)產(chǎn)生基板的技術(shù)。在這個(gè)例子中，在納米壓印光刻中使用的納米壓印模板被修改以產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上沒(méi)有殘留物的基板的區(qū)域而沒(méi)有額外的或單獨(dú)的殘留物去除步驟。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，納米壓印模板被進(jìn)一步修改以允許樹(shù)脂的更容易的流動(dòng)，促進(jìn)納米壓印過(guò)程。

本公開(kāi)還提供了包含具有壓印納米結(jié)構(gòu)的室的流動(dòng)池。所提供的流動(dòng)池設(shè)備使用高質(zhì)量結(jié)合來(lái)產(chǎn)生，由所產(chǎn)生的無(wú)殘留物或減少的殘留物的壓印基板促使。作為結(jié)果，流動(dòng)池包含能夠抵抗高壓力而沒(méi)有泄漏的室，并且可以用高通量方式被產(chǎn)生。

附圖簡(jiǎn)述

當(dāng)參考附圖閱讀下面的詳細(xì)描述時(shí)，本公開(kāi)的這些和其他特征和方面將變得更好理解，在所有附圖中，相似的符號(hào)表示相似的部件，其中：

圖1A和圖1B分別示出了根據(jù)本公開(kāi)的例子的流動(dòng)池芯片的例子和流動(dòng)池芯片的三個(gè)組成元件的分解圖；