[發明專利]壓印基板在審
| 申請號: | 201780059530.5 | 申請日: | 2017-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN109844638A | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發明(設計)人: | 韓輝;袁大軍;M·謝恩·鮑恩 | 申請(專利權)人: | 伊魯米那股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/00 | 分類號: | G03F7/00;H01L23/00;H01L21/033 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 胡秋玲;鄭霞 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 壓印基板 基板 納米壓印光刻 小型化設備 選擇性蝕刻 生物化學 能量施加 壓印過程 壓印技術 除法 可用 應用 | ||
1.一種產生壓印的無殘留物的基板表面的方法,包括:
用壓印樹脂的層涂覆基板層;
施加納米壓印模板以在所述壓印樹脂中產生納米結構;
在所述納米壓印模板在適當位置上的情況下固化所述壓印樹脂以產生固化壓印樹脂;
去除所述納米壓印模板;
將第一密封層施加到所述固化壓印樹脂的頂表面;
焊接所述固化壓印樹脂的與所述基板層的結合區域接觸的區域;以及
去除焊接到所述固化壓印樹脂的與所述基板層的所述結合區域接觸的所述區域的所述第一密封層。
2.根據權利要求1所述的方法,其中去除所述第一密封層在所述基板層的表面上產生一個或更多個無殘留物區域。
3.根據權利要求2所述的方法,其中:
所述一個或更多個無殘留物區域被設置在所述基板層的周邊周圍;或
所述一個或更多個無殘留物區域實質上圍繞由所述納米壓印模板形成的所述納米結構。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述焊接包括采用使用紅外(IR)激光器向所述結合區域施加能量的結合技術。
5.根據權利要求1所述的方法,其中所述壓印樹脂是液體樹脂,并且其中所述壓印樹脂的固化包括將所述液體樹脂暴露于紫外(UV)光源。
6.根據權利要求1所述的方法,其中固化所述壓印樹脂包括:
提高所述壓印樹脂的溫度;以及
在固化時間過去后降低所述壓印樹脂的溫度。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述區域的焊接包括僅向所述固化壓印樹脂的與所述結合區域接觸的區域而不向其他區域施加能量。
8.根據權利要求1所述的方法,還包括:
在去除所述第一密封層之后將第二密封層施加到所述固化壓印樹脂的頂表面;
將所述第二密封層焊接到所述基板層的無殘留物區域;以及
去除所述第二密封層。
9.一種用于產生壓印基板表面的方法,包括:
在樹脂層中形成納米結構;
將第一光致抗蝕劑層施加到所述樹脂層的頂表面;
將光刻掩模施加到所述第一光致抗蝕劑層的頂表面;
通過所述光刻掩模將所述第一光致抗蝕劑層暴露于光源;
去除所述光刻掩模;
使所述第一光致抗蝕劑層顯影以產生保護性光致抗蝕劑;
使用蝕刻技術來蝕刻所述光致抗蝕劑和沒有所述納米結構的所述樹脂層的區域;以及
去除所述保護性光致抗蝕劑。
10.根據權利要求9所述的方法,其中在所述樹脂層中形成納米結構包括:
用壓印樹脂的層涂覆基板層;
施加納米壓印模板以在所述壓印樹脂中產生納米結構;
在所述納米壓印模板在適當位置上的情況下固化所述壓印樹脂以產生固化壓印樹脂;以及
去除所述納米壓印模板。
11.根據權利要求9所述的方法,其中:
選擇所述光刻掩模、所述光致抗蝕劑層的光致抗蝕劑材料和光刻顯影技術以執行正光刻技術;或
選擇所述光刻掩模、所述光致抗蝕劑層的光致抗蝕劑材料和光刻顯影技術以執行負光刻技術。
12.根據權利要求9所述的方法,其中所述光致抗蝕劑層包括NR-9光致抗蝕劑材料,并且所述光源是紫外(UV)光源。
13.根據權利要求9所述的方法,其中所述蝕刻技術選自由干式蝕刻技術、反應離子蝕刻技術和濕式蝕刻技術組成的組,并且所述濕式蝕刻技術選自由酸蝕刻技術和堿蝕刻技術組成的組。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于伊魯米那股份有限公司,未經伊魯米那股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780059530.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





