[發明專利]電阻器、具備該電阻器的電路基板和電子裝置

有效

• 申請號: 201780058711.6
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN109791823B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 高吉翔大;大橋嘉雄;荒井丈幸
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H05K1/16
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳克鵬

本發明的電阻器的銅、鎳及硼化鑭的合計的含量為40質量％以上，并且含有粒徑為2.5μm以上的銅粒子。另外，本發明的電路基板具備基體、位于該基體上的上述電阻器和金屬層、以及位于該電阻器上的玻璃層。另外，本發明的電子裝置具備上述電路基板和位于該電路基板的上述金屬層上的電子部件。

技術領域

本發明涉及電阻器、具備該電阻器的電路基板和電子裝置。

背景技術

已知在電路基板上搭載有半導體元件、發熱元件、帕爾貼(Peltier)元件等各種電子部件的電子裝置。在此，該電路基板有具備用于使其不流入過剩電流的電阻器的情形。

例如在專利文獻1中公開了一種半導體發光裝置，其為了控制流入發光元件的電流而具有使電阻值與發光元件的亮度相對應的電阻。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-294547號公報

發明內容

本發明的電阻器中，銅、鎳及硼化鑭的合計的含量為40質量％以上，并且含有粒徑為2.5μm以上的銅粒子。

本發明的電路基板具備基體、位于該基體上的上述電阻器、金屬層、以及位于該電阻器上的玻璃層。

本發明的電子裝置具備上述電路基板和位于該電路基板的上述金屬層上的電子部件。

附圖說明

圖1為表示具備本發明的電阻器的電路基板的一例的剖視圖。

圖2為表示具備本發明的電路基板的電子裝置的一例的剖視圖。

具體實施方式

為了制成任意的電阻值，而使用混合有各種成分的電阻器漿料，將其涂布于基體上后進行燒成，由此形成電阻器。

近年來，隨著電子裝置的小型化和薄型化、電子部件的高集成化，要求有電阻器的小型化和薄型化、電阻器形狀的復雜化。然而，若形成小型、薄型、復雜形狀的電阻器，則電阻器的電阻值上容易產生偏差。

已知電阻值產生偏差的電阻器可以通過利用激光對電阻器賦予切痕的激光微調而成為電阻值均勻的電阻器。近年來，進行激光微調的情況增加，因此要求容易利用激光微調進行電阻值的調整的電阻器。

本發明的電阻器容易采用激光微調進行電阻值的調整。以下，對本發明的電阻器進行詳細地說明。

本發明的電阻器中，銅、鎳及硼化鑭的合計的含量為40質量％以上，并且含有粒徑為2.5μm以上的銅粒子。在此，銅粒子是指：在構成銅粒子的全部成分100質量％中，含有70質量％以上的銅的粒子。

而且，本發明的電阻器通過滿足這樣的構成，從而可以利用激光微調容易地調整電阻值。在此，之所以能夠利用激光微調容易地調整電阻值，是由于為上述組成并且含有粒徑為2.5μm以上的銅粒子。具體而言，在對電阻器照射激光時，粒徑為2.5μm以上的銅粒子容易脫粒，因此能夠容易地進行激光微調。

另外，本發明的電阻器除銅、鎳及硼化鑭以外還可以含有無機成分。在此，無機成分可列舉例如軟化點為400℃以上且750℃以下的玻璃。具體而言，可列舉以氧化硅(SiO₂)作為主成分并且含有氧化鋇(BaO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鉍(Bi₂O₃)、氧化硼(B₂O₃)等中的任一種的玻璃。這樣一來，在除銅、鎳及硼化鑭以外還含有上述玻璃時，可以提升電阻器的電阻值，并且在基體上形成電阻器時，可以提高基體與電阻器的粘接性。