[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體器件的襯底噪聲隔離結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780057726.0
• 申請日: 2017-08-29
• 公開（公告）號: CN109716504B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·荊;S·吳;J·W·索瓦茲
• 申請（專利權(quán)）人: 賽靈思公司
• 主分類號: H01L21/761
• 分類號: H01L21/761;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;崔卿虎

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一電路和第二電路，形成在半導(dǎo)體襯底中；

第一保護(hù)結(jié)構(gòu)，形成在所述半導(dǎo)體襯底中并且設(shè)置在所述第一電路與所述第二電路之間，所述第一保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿第一軸設(shè)置的第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對；以及

第二保護(hù)結(jié)構(gòu)，形成在所述半導(dǎo)體襯底中并且設(shè)置在所述第一電路與所述第二電路之間，所述第二保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿所述第一軸設(shè)置的第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對，所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對關(guān)于所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對交錯，使得所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對之間的間隙與所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對之間的間隙沿垂直于所述第一軸的第二軸不對準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿垂直于所述第一軸的所述第二軸延伸的第一連續(xù)擴(kuò)散，并且所述第二保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿所述第二軸延伸的第二連續(xù)擴(kuò)散。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一保護(hù)結(jié)構(gòu)是圍繞所述第一電路形成的第一保護(hù)環(huán)，所述第一保護(hù)環(huán)包括由第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散的相應(yīng)的第一集合和第二集合形成的第一邊和第二邊以及由所述第一連續(xù)擴(kuò)散的相應(yīng)的第一部分和第二部分形成的第二邊和第三邊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二保護(hù)結(jié)構(gòu)是圍繞所述第一保護(hù)環(huán)形成的第二保護(hù)環(huán)，所述第二保護(hù)環(huán)包括由第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散的相應(yīng)的第一集合和第二集合形成的第一邊和第二邊以及由所述第二連續(xù)擴(kuò)散的相應(yīng)的第一部分和第二部分形成的第二邊和第三邊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

壕溝，在所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對與所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

深阱，形成在所述半導(dǎo)體襯底中并且設(shè)置在所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對與所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體襯底包括p型襯底，并且其中所述第一保護(hù)結(jié)構(gòu)和所述第二保護(hù)結(jié)構(gòu)形成在所述p型襯底中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中阱形成在所述襯底中，并且其中所述第一保護(hù)結(jié)構(gòu)和所述第二保護(hù)結(jié)構(gòu)形成在所述阱中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中對于所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對中的每一對，n+擴(kuò)散關(guān)于p+擴(kuò)散交錯。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：

第三保護(hù)結(jié)構(gòu)，形成在所述半導(dǎo)體襯底中并且設(shè)置在所述第一電路與所述第二電路之間，所述第三保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿所述第一軸設(shè)置的第三不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對，所述第三不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對關(guān)于所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對交錯。

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底中形成第一電路和第二電路；

在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一電路與所述第二電路之間形成第一保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述第一保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿第一軸設(shè)置的第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對；以及

在所述半導(dǎo)體襯底中在所述第一電路與所述第二電路之間形成第二保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述第二保護(hù)結(jié)構(gòu)包括沿所述第一軸設(shè)置的第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對，所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對關(guān)于所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對交錯，使得所述第一不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對之間的間隙與所述第二不連續(xù)n+和p+擴(kuò)散對之間的間隙沿垂直于所述第一軸的第二軸不對準(zhǔn)。