[發明專利]存儲器系統中用以支持同時存儲器讀取和寫入操作的單獨讀取和寫入地址解碼

有效

• 申請號: 201780057336.3
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN109716436B
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發明（設計）人: M·加爾吉
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C8/10;G11C11/419;G11C11/418;G11C8/08
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 楊林勳

本發明揭示提供單獨讀取和寫入地址解碼以支持同時存儲器讀取和寫入操作的存儲器系統。分離讀取和寫入地址解碼在即使采用單端口存儲器位單元的情況下也可避免同時存儲器讀取和寫入操作的電路沖突。將相應讀取和寫入操作的讀取和寫入地址單獨地解碼為經驅動到存儲器陣列的讀取和寫入行和列選擇，以使得同時讀取和寫入操作不會彼此影響。為了避免同時讀取和寫入操作的電路沖突，所述存儲器系統經配置以將寫入行選擇優先于讀取行選擇以驅動所述存儲器陣列中的一行存儲器位單元。以此方式，無論所述讀取和寫入行選擇是否是針對同一行，寫入操作都將始終是成功的。

優先權申請

本申請案要求2016年10月4日提交且標題為“存儲器系統中用以支持同時存儲器讀取和寫入操作的單獨讀取和寫入地址解碼(SEPARATE READ AND WRITE ADDRESSDECODING IN A MEMORY SYSTEM TO SUPPORT SIMULTANEOUS MEMORY READ AND WRITEOPERATIONS)”的第62/403,740號美國臨時專利申請案的優先權，所述美國臨時專利申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

本申請案還要求2017年2月10日提交且標題為“存儲器系統中用以支持同時存儲器讀取和寫入操作的單獨讀取和寫入地址解碼”的第15/429,842號美國專利申請案的優先權，所述美國專利申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

本發明的技術大體上涉及用于基于處理器的系統的存儲器系統，且更具體地說，涉及能夠執行同時存儲器讀取和寫入操作的存儲器系統，例如采用靜態隨機存取存儲器(SRAM)位單元的SRAM系統。

背景技術

基于處理器的計算機系統包含用于數據存儲的存儲器。存在不同類型的存儲器，每一類型具有某些獨特的特征。例如，靜態隨機存取存儲器(SRAM)是可以用于基于處理器的計算機系統的一類存儲器。與(例如)動態隨機存取存儲器(DRAM)不同，SRAM可以在不需要周期性地刷新存儲器的情況下存儲數據。SRAM含有在SRAM陣列中以存儲器行和列組織的多個SRAM位單元(也被稱作“位單元”)。對于SRAM陣列中的任何給定行，SRAM陣列的每一列包含其中存儲單個數據值或位的SRAM位單元。使用對應于包含特定SRAM位單元的SRAM位單元行的讀取和寫入字線來對所述特定SRAM位單元執行存儲器讀取和寫入操作。