[發明專利]金屬掩模用原材料及其制造方法有效
| 申請號： | 201780056493.2 | 申請日： | 2017-09-15 |
| 公開（公告）號： | CN109715834B | 公開（公告）日： | 2021-06-15 |
| 發明（設計）人： | 大森章博;羽田野雄一 | 申請（專利權）人： | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號： | C21C7/00 | 分類號： | C21C7/00;C22C38/00;C22C38/08;C22B9/04;C22B9/20 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 楊貝貝;臧建明 |
| 地址： | 日本東京港區港南一丁目2*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 掩模用 原材料 及其 制造 方法 | ||
1.一種金屬掩模用原材料，具有以質量％計，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分為Fe及不可避免的雜質的組成，所述金屬掩模用原材料的特征在于，
所述金屬掩模用原材料每1g中，
面積圓當量直徑超過10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物為2.0個以下，
面積圓當量直徑為6.0μm～10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物的個數為20.0個以下，
所述金屬掩模用原材料為板厚0.25mm以下的薄板形狀。
2.一種金屬掩模用原材料的制造方法，其是具有以質量％計，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分為Fe及不可避免的雜質的組成的金屬掩模用原材料的制造方法，其特征在于，包括：
自耗電極制造步驟，通過真空熔煉來制造重熔用的第一自耗電極；
第一重熔步驟，將所述第一自耗電極在鑄模內重熔，制造第二重熔用的第二重熔用自耗電極；以及
第二重熔步驟，將所述第二重熔用自耗電極在鑄模內重熔而制成鋼塊，
所述第二重熔用自耗電極的直徑D1相對于所述第二重熔所使用的鑄模的內徑D2的比D1/D2為0.80～0.95，
對所述第二重熔步驟后的鋼塊進行熱軋、冷軋，獲得板厚0.25mm以下的薄板狀原材料。
3.根據權利要求2所述的金屬掩模用原材料的制造方法，其特征在于，所述冷軋后的原材料每1g中，面積圓當量直徑超過10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物為2.0個以下，面積圓當量直徑為6.0μm～10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物的個數為20.0個以下。
4.根據權利要求2或3所述的金屬掩模用原材料的制造方法，其特征在于，所述冷軋時的總壓下率為90％以上。
5.根據權利要求2或3所述的金屬掩模用原材料的制造方法，其特征在于，利用真空電弧重熔來進行所述第一重熔步驟及所述第二重熔步驟。
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