[發明專利]金屬掩模用原材料及其制造方法

有效

• 申請號: 201780056493.2
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN109715834B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 大森章博;羽田野雄一
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: C21C7/00
• 分類號: C21C7/00;C22C38/00;C22C38/08;C22B9/04;C22B9/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明的目的在于提供一種金屬掩模用原材料，其氧化物系非金屬夾雜物微細，個數也非常少，能夠呈現優異的蝕刻加工性。一種金屬掩模用原材料及其制造方法，所述金屬掩模用原材料具有以質量％計，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分為Fe及不可避免的雜質的組成，其中，所述金屬掩模用原材料每1g中，直徑超過10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物為2.0個以下，直徑為6.0μm～10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物的個數為20.0個以下，并且所述金屬掩模用原材料為板厚0.25mm以下的薄板形狀。

技術領域

本發明涉及一種金屬掩模(metal mask)用原材料及其制造方法。

背景技術

例如在有機電致發光(Electro-Luminescence，EL)顯示器的制作中，為了對基板進行蒸鍍以生成彩色圖案(color patterning)，而使用金屬掩模。此種金屬掩模中，作為制作開孔部的方法之一，已知對金屬掩模用原材料進行蝕刻加工的方法。作為所述金屬掩模用原材料而使用Fe-Ni合金的薄板等，但若在所述Fe-Ni合金的薄板中大量存在非金屬夾雜物或Ni等的偏析，則蝕刻的進程變得不均勻，從而導致蝕刻精度受損。因此，已知非金屬夾雜物的減少對蝕刻加工性的提升是有效的，從而進行了各種提案。例如在專利文獻1中，為了提升蝕刻性及壓制成型性，公開了一種Fe-Ni系薄板的制造方法，即：在對通過預備精煉而脫C的熔鋼的上表面進行加熱，而進行了爐渣(slag)精煉后，進行鑄造而制成自耗電極，將所述自耗電極進行真空電弧重熔，之后將所述鋼塊通過熱加工及冷加工而制成薄板。而且，在專利文獻2中，為了改善材料中的夾雜物或針孔(pin hole)的問題，公開了一種圖像顯示裝置用金屬間隔壁的制造方法，即：在將真空熔煉或真空精煉的Fe-Ni系合金的熔融金屬制成鑄塊后，進行熱加工，之后，實施冷加工而制成薄板，將所述薄板通過蝕刻而加工成間隔壁的形狀。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2002-069543號公報

專利文獻2：日本專利特開2000-090824號公報

發明內容

發明所要解決的問題

為了制作更高精細的產品，要求對所使用的掩模形成更高精度的圖案。為了應對所述要求，對金屬掩模用原材料也要求進一步提升蝕刻性。所述專利文獻2所記載的發明是對非金屬夾雜物的微細化有效的發明，但在滿足專利文獻2的構成的情況下，也存在對于更高精度的蝕刻而言不充分的情況。本發明的目的是有關于一種能夠使蝕刻加工性大幅提升的金屬掩模用原材料，及可獲得所述金屬掩模用原材料的制造方法。

解決問題的技術手段

即本發明的一方式為一種金屬掩模用原材料，具有以質量％計，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分為Fe及不可避免的雜質的組成，所述金屬掩模用原材料的特征在于，

所述金屬掩模用原材料每1g中，

直徑超過10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物為2.0個以下，

直徑為6.0μm～10.0μm的氧化物系非金屬夾雜物的個數為20.0個以下，

所述金屬掩模用原材料為板厚0.25mm以下的薄板形狀。

本發明的另一方式為一種金屬掩模用原材料的制造方法，其是具有以質量％計，含有C：0.01％以下、Si：0.5％以下、Mn：1.0％以下、Ni：30％～50％，剩余部分為Fe及不可避免的雜質的組成的金屬掩模用原材料的制造方法，包括：

自耗電極制造步驟，通過真空熔煉來制造重熔用的第一自耗電極；