[發明專利]保護膜形成用組合物有效
| 申請號: | 201780056169.0 | 申請日: | 2017-09-15 |
| 公開(公告)號: | CN109952631B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 橋本雄人;德永光;緒方裕斗;大橋智也;境田康志;岸岡高廣 | 申請(專利權)人: | 日產化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;C08G59/62;C08G65/28;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 段承恩;李照明 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護膜 形成 組合 | ||
本發明的課題是提供針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物。解決手段是一種針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物,其包含:下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量為300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量為300以上且小于800的化合物;以及溶劑,相對于除去該溶劑后的固體成分,含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1質量%~60質量%,或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10質量%~100質量%。(式中,R1表示碳原子數1~4的亞烷基或亞烯基、或直接結合,k表示0或1,m表示1~3的整數,n表示2~4的整數。)
技術領域
本發明涉及在光刻工藝中,用于形成對過氧化氫水溶液的耐性優異的保護膜的組合物。進一步涉及應用上述保護膜來形成圖案的方法。
背景技術
已知在基板與其上形成的抗蝕劑膜之間設置抗蝕劑下層膜、形成所希望的形狀的抗蝕劑圖案的光刻工藝。然而,以往的抗蝕劑下層膜例如專利文獻1所記載的、由包含氨基塑料系交聯劑的組合物形成的抗蝕劑下層膜針對過氧化氫水溶液的耐性差。因此,不能將這樣的抗蝕劑下層膜用作使用了過氧化氫水溶液的濕蝕刻工藝中的掩模。
下述專利文獻2中記載了包含具有被保護了的羧基的化合物、具有能夠與羧基反應的基團的化合物、和溶劑的光刻用下層膜形成用組合物,或包含具有能夠與羧基反應的基團和被保護了的羧基的化合物、和溶劑的光刻用下層膜形成用組合物,該組合物不含氨基塑料系交聯劑作為必需成分。然而,專利文獻2中,關于由該組合物形成的抗蝕劑下層膜對過氧化氫水溶液的耐性,沒有任何記載和暗示。
下述專利文獻3中記載了使用了具有對堿性過氧化氫水溶液的耐性的抗蝕劑下層膜的圖案形成方法。而且,用于形成該抗蝕劑下層膜的組合物包含重均分子量1000~100,000的、具有環氧基的聚合物、和溶劑。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第4145972號公報
專利文獻2:國際公開第2005/013601號
專利文獻3:國際公開第2015/030060號
發明內容
發明所要解決的課題
近年來,對于與以往相比進一步提高了對過氧化氫水溶液的耐性的保護膜的要求日益增強。本發明的目的是提供用于形成具有對過氧化氫水溶液的耐性的保護膜的新的組合物、以及使用了該保護膜的圖案形成方法。
用于解決課題的方法
本發明的發明人通過應用包含具有2個以上酚性羥基的化合物作為添加劑即副成分、或包含具有2個以上酚性羥基的化合物作為除去溶劑后的固體成分中的主成分的組合物,能夠解決上述課題。本發明的第一方案是一種針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物,其包含:下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量為300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量為300以上且小于800的化合物;以及溶劑,相對于除去該溶劑后的固體成分,含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1質量%~60質量%,或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10質量%~100質量%。
(式中,R1表示碳原子數1~4的亞烷基或亞烯基、或直接結合,k表示0或1,m表示1~3的整數,n表示2~4的整數。)
本發明的保護膜形成用組合物可以還包含1分子中具有環氧基、氧雜環丁烷基、環氧環己基和環氧環戊基中的至少2個基團的化合物。該化合物作為交聯劑被添加。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





