[發明專利]保護膜形成用組合物

有效

• 申請號: 201780056169.0
• 申請日: 2017-09-15
• 公開（公告）號: CN109952631B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發明（設計）人: 橋本雄人;德永光;緒方裕斗;大橋智也;境田康志;岸岡高廣
• 申請（專利權）人: 日產化學株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;C08G59/62;C08G65/28;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;李照明

1.一種針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，其包含：

下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量為300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量為300以上且小于800的化合物；以及

溶劑，

相對于除去該溶劑后的固體成分，含有所述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1質量％～60質量％，或含有具有所述式(2)所示的取代基的化合物10質量％～100質量％，

式中，R₁表示碳原子數1～4的亞烷基或亞烯基、或直接結合，k表示0或1，m表示1～3的整數，n表示2～4的整數，

并且，式(1a)所示的化合物為從式(1a-2)～(1a-9)、(1a-12)～式(1a-19)所示化合物中選擇的化合物，

式(1b)所示的化合物為從式(1b-2)～式(1b-14)、式(1b-19)～式(1b-22)、式(1b-24)、式(1b-27)、式(1b-29)～式(1b-31)所示化合物中選擇的化合物，

2.根據權利要求1所述的針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，其還包含1分子中具有環氧基、氧雜環丁烷基、環氧環己基和環氧環戊基中的至少2個基團的化合物。

3.根據權利要求1或2所述的針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，其還包含不具有酚性羥基的化合物，相對于該化合物，含有所述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1質量％～60質量％。

4.根據權利要求3所述的針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物，所述不具有酚性羥基的化合物為聚合物。

5.一種圖案形成方法，其包含下述工序：

第1工序：使用權利要求1～4中任一項所述的針對過氧化氫水溶液的保護膜形成用組合物在表面可以形成有無機膜的半導體基板上形成保護膜；

第2工序：在所述保護膜上形成抗蝕劑圖案；

第3工序：以所述抗蝕劑圖案作為掩模對所述保護膜進行干蝕刻而使所述無機膜或所述半導體基板的表面露出；以及

第4工序：以干蝕刻后的所述保護膜作為掩模，使用過氧化氫水溶液對所述無機膜或所述半導體基板進行濕蝕刻和洗滌。