[發明專利]用于PGA或PGIA的低電容開關有效
| 申請號: | 201780053662.7 | 申請日: | 2017-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN109643729B | 公開(公告)日: | 2022-03-29 |
| 發明(設計)人: | S·赫雷拉;A·K·杰夫里 | 申請(專利權)人: | 美國亞德諾半導體公司 |
| 主分類號: | H01L29/772 | 分類號: | H01L29/772;H01L21/76;H01L29/08 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 劉倜 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 pga pgia 電容 開關 | ||
描述低電容n?溝道模擬開關電路、p?溝道模擬開關電路和全CMOS傳輸門(T?柵極)電路。電阻去耦可用于將開關或T?柵極與AC接地隔離。與通過場效應晶體管(FET)的主體區域分開的半導體區域,例如通過絕緣體,可以耦合到或驅動到類似于輸入電壓或其他期望的偏置電壓的電壓(例如運算放大器輸出)有助于降低開關或T?柵極的寄生電容。開關或T?柵極可以幫助提供改善的頻率帶寬或頻率響應。該開關可用于可編程增益放大器(PGA)或可編程增益設備放大器(PGIA)或其他過量開關電容會降低電路性能的電路。
要求優先權
本申請要求2016年9月1日提交的題為“用于可編程增益放大器或可編程增益設備放大器的低電容開關”的美國專利申請號15/254,782(代理人案卷號3867.320US1)的優先權的權益,并且還要求2016年9月1日提交的名稱為“電容模擬開關或傳輸門”的美國專利申請號15/254,696(代理人案卷號3867.314US1)的優先權的權益,這些優先權申請中的每一個在此通過引用整體并入本文。
技術領域
該文件一般地但非限制性地涉及切換電信號,更具體地但非限制性地涉及低電容模擬開關或傳輸門,例如用于可編程增益放大器電路、可編程增益設備放大器電路等。
背景技術
有許多電路,其中開關位于節點之間,其中一個或多個可能對電容非常敏感。例如,可編程增益放大器(PGA)和可編程增益設備放大器(PGIA)是這種電路的示例,其中開關可以耦合電容敏感節點。在這些電路中,增益設置開關可以位于反饋網絡和運算放大器的反相輸入之間。由于這種開關而增加的電容會限制這種電路的AC性能。
發明內容
本發明人已經認識到,除了其他之外,需要低電容開關或傳輸門,例如可用于PGA、PGIA或其中開關電容可例如通過限制這種電路的頻率帶寬來影響性能的其他電路。
描述低電容n-溝道模擬開關電路、p-溝道模擬開關電路和全CMOS傳輸門(T-柵極)電路。電阻去耦可用于將開關或T-柵極與一個或多個AC接地節點分離或隔離,例如一個或多個開關控制信號輸入或電源電壓。通過場效應晶體管(FET)的主體區域(例如通過絕緣體)分離的半導體區域可以耦合到或驅動到與輸入電壓或其他所需電壓類似的電壓,以幫助減少開關或T-柵極的寄生電容。開關或T-柵極可以幫助提供改進的頻率帶寬或頻率響應。開關或T-柵極可用于可編程增益放大器(PGA)或可編程增益設備放大器(PGIA)或其他開關電容過大會降低電路性能的電路。通過場效應晶體管(FET)的主體區域(例如通過絕緣體)分離的半導體區域可以連接到期望的信號電壓,例如連接到PGA或PGIA或其他電路中的運算放大器電路的輸出,例如以提供零極點抵消以改善電路的頻率響應。
下面列出了本主題的某些方面的編號實例的非限制性列表。
方面1可以包括或使用主旨(諸如裝置、系統、設備、方法、用于執行動作的裝置,或包括指令的設備可讀介質,所述指令在由設備執行時可以使設備執行動作),例如可以包括或使用模擬開關電路。模擬開關電路可包括:第一傳輸FET,例如包括耦合到第一控制信號輸入的柵極、可耦合到信號輸入的第一傳導端子、可耦合到信號輸出的第二傳導端子、以及第一主體,當第一傳輸FET斷開時第一主體能夠例如通過第一主體去耦電阻器可切換地耦合到第一偏置電壓,當第一傳輸FET開啟時第一主體也能夠可切換地耦合信號輸入或信號輸出中的至少一個。
方面2可以包括或使用、或能夠任選地與方面1的主旨相結合以任選地包括或使用:第一主體例如通過絕緣體與第一半導體區域分離,其中第一半導體區域可以耦合到或驅動到類似于信號輸入或信號輸出之一的電壓。
方面3可以包括或使用、或能夠任選地與方面1或2中一項或任意組合的主旨相結合以任選地包括或使用:第一半導體區域耦合到或驅動到類似于信號輸入的電壓。
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