[發(fā)明專利]用于PGA或PGIA的低電容開關(guān)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780053662.7
• 申請(qǐng)日: 2017-09-01
• 公開（公告）號(hào): CN109643729B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·赫雷拉;A·K·杰夫里
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美國(guó)亞德諾半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): H01L29/772
• 分類號(hào): H01L29/772;H01L21/76;H01L29/08
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種模擬開關(guān)電路，包括：

第一傳輸FET，所述第一傳輸FET包括耦合到第一控制信號(hào)輸入的柵極、耦合到信號(hào)輸入的第一傳導(dǎo)端子、耦合到信號(hào)輸出的第二傳導(dǎo)端子、以及第一主體，其中所述第一主體與局部第一半導(dǎo)體區(qū)域被第一絕緣體分離，其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一主體和基板絕緣，以便能夠獨(dú)立于所述第一主體而被可切換地驅(qū)動(dòng)，其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域被耦合到所述信號(hào)輸出或所述信號(hào)輸入的電壓，或所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域被驅(qū)動(dòng)到所述信號(hào)輸出或所述信號(hào)輸入的電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的模擬開關(guān)電路，其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域通過被第二絕緣體附加地電隔離而專用于所述模擬開關(guān)電路，所述第二絕緣體與所述第一絕緣體和下面的第三絕緣體一起形成所述第一傳輸FET周圍或附近的壕溝區(qū)域，并且其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域被耦合到電路節(jié)點(diǎn)或被驅(qū)動(dòng)到偏置電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的模擬開關(guān)電路，所述模擬開關(guān)電路被包括在可編程增益放大器電路的反饋網(wǎng)絡(luò)中的，其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域電連接到所述可編程增益放大器電路的放大器的信號(hào)輸出。

4.如權(quán)利要求2所述的模擬開關(guān)電路，所述模擬開關(guān)電路被包括在可編程增益設(shè)備放大器電路的反饋網(wǎng)絡(luò)中，其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域電連接到所述可編程增益設(shè)備放大器電路中的放大器的信號(hào)輸出。

5.如權(quán)利要求1所述的模擬開關(guān)電路，其中當(dāng)所述第一傳輸FET斷開時(shí)所述第一主體經(jīng)由第一主體去耦電阻器可切換地耦合到第一偏置電壓，當(dāng)所述第一傳輸FET開啟時(shí)所述第一主體也可切換地耦合到所述信號(hào)輸入或所述信號(hào)輸出中的至少一個(gè)。

6.如權(quán)利要求5所述的模擬開關(guān)電路，其中當(dāng)所述第一傳輸FET開啟時(shí)所述第一主體可切換地耦合到所述信號(hào)輸入。

7.如權(quán)利要求1所述的模擬開關(guān)電路，其中所述第一傳輸FET包括經(jīng)由第一柵極去耦電阻器耦合到所述第一控制信號(hào)輸入的柵極。

8.如權(quán)利要求1所述的模擬開關(guān)電路，還包括：

第二傳輸FET，所述第二傳輸FET包括耦合到第二控制信號(hào)輸入的柵極、耦合到所述信號(hào)輸入的第一傳導(dǎo)端子、耦合到所述信號(hào)輸出的第二傳導(dǎo)端子、以及第二主體，其中所述第二主體與局部第二半導(dǎo)體區(qū)域被絕緣體分離，其中所述局部第二半導(dǎo)體區(qū)域被耦合到電路節(jié)點(diǎn)或被驅(qū)動(dòng)到偏置電壓；和

其中所述第一傳輸FET是NFET和所述第二傳輸FET是PFET，并且其中所述第一傳輸FET和所述第二傳輸FET彼此互補(bǔ)以形成傳輸門。

9.如權(quán)利要求8所述的模擬開關(guān)電路，其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域和所述局部第二半導(dǎo)體區(qū)域在所述第一傳輸FET和所述第二傳輸FET之間共同共享。

10.如權(quán)利要求8所述的模擬開關(guān)電路，其中所述第二傳輸FET包括經(jīng)由第二柵極去耦電阻器耦合到所述第二控制信號(hào)輸入的柵極。

11.一種模擬開關(guān)電路，包括：

第一傳輸FET，所述第一傳輸FET包括經(jīng)由第一柵極去耦電阻器耦合到第一控制信號(hào)輸入的柵極、耦合到信號(hào)輸入的第一傳導(dǎo)端子、耦合到信號(hào)輸出的第二傳導(dǎo)端子、以及第一主體，所述第一主體與局部第一半導(dǎo)體區(qū)域被第一絕緣體分離；和

第二傳輸FET，所述第二傳輸FET包括經(jīng)由第二柵極去耦電阻器耦合到第二控制信號(hào)輸入的柵極、耦合到所述信號(hào)輸入的第一傳導(dǎo)端子、耦合到所述信號(hào)輸出的第二傳導(dǎo)端子、以及第二主體，所述第二主體與局部第二半導(dǎo)體區(qū)域被第二絕緣體分離；和

其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域和所述局部第二半導(dǎo)體區(qū)域電連接到放大器信號(hào)輸出，和

其中所述局部第一半導(dǎo)體區(qū)域和所述局部第二半導(dǎo)體區(qū)域與所述第一主體和基板絕緣，以便能夠分別獨(dú)立于所述第一主體和所述第二主體而被可切換地驅(qū)動(dòng)。