[發明專利]基板清洗方法、基板清洗規程作成方法以及基板清洗規程作成裝置有效

申請號：	201780053446.2	申請日：	2017-09-04
公開（公告）號：	CN109661718B	公開（公告）日：	2023-05-05
發明（設計）人：	樋口鲇美;小森香奈	申請（專利權）人：	株式會社斯庫林集團
主分類號：	H01L21/304	分類號：	H01L21/304
代理公司：	隆天知識產權代理有限公司 72003	代理人：	宋曉寶;向勇
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：
搜索關鍵詞：	清洗方法規程作成以及裝置
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【說明書】：

提供一種基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板。該方法包含：部分蝕刻步驟，將所述氧化膜蝕刻至預定的膜厚為止；以及物理清洗步驟，在所述部分蝕刻步驟之后，對所述基板的表面執行物理清洗。所述氧化膜亦可為顆粒至少部分被帶入的自然氧化膜。在此情況下，所述部分蝕刻步驟亦可為使所述顆粒自所述自然氧化膜露出、或使自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步驟。此外，所述物理清洗亦可為一邊使所述自然氧化膜殘留于所述基板的表面一邊通過物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的顆粒的步驟。

技術領域

本發明涉及一種清洗基板的方法、以及作成用于清洗基板的規程(recipe)的方法及裝置。本發明還涉及一種用以使計算機具有作為基板清洗規程作成裝置的功能的計算機程序(computer?program)。在清洗對象的基板中，包含例如半導體晶片(wafer)、液晶顯示設備用基板、等離子體顯示器(plasma?display)用基板、FED(Field?Emission?Display；場致發光顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、磁光盤用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。

背景技術

為了半導體晶片等的基板的清洗，有的情況能應用所謂的物理清洗。所謂物理清洗指通過物理的作用，更具體而言是通過力學的能量(energy)來去除基板表面的異物(以下稱為“顆粒(particle)”)的處理。物理清洗的具體例為超聲波清洗、雙流體清洗、噴墨(inkjet)清洗、固化溶解清洗等，這些已分別記載于專利文獻1至專利文獻3等中。

例如，雙流體清洗是使用雙流體噴嘴(two?fluid?nozzle)將已混合氣體及液體后的混合流體供給至基板的表面的處理?；旌狭黧w中的液滴碰撞于基板的表面，且通過該沖擊使基板的表面的顆粒從基板脫離而去除?；旌狭黧w所具有的動能越大就越能獲得較大的去除性能，另一方面，如果動能過大，則基板表面的器件(device)形成用的圖案(pattern)恐有受到損傷(例如圖案倒塌)的擔心。即，顆粒去除與圖案損傷是處于取舍(trade-off)的關系。因此，較佳的是在不發生圖案損傷的范圍內盡可能使用具有較大的動能的混合流體。

此情形即便是在其他的物理清洗中亦為同樣。即，在各個清洗處理中設定有用以調整物理力的參數(parameter)，以便將在不發生圖案損傷的范圍內盡可能地使較大的物理力(能量)提供給基板上的顆粒。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-214757號公報。

專利文獻2：日本特開2003-275696號公報。

專利文獻3：日本特開2014-179449號公報。

發明內容

發明所要解決的問題

伴隨形成于基板的表面的圖案的微細化，以較小的物理力就會發生圖案損傷。相應于此，能去除基板上的顆粒且能回避基板上的圖案的損傷的物理力或物理能量的范圍，亦即處理窗口(process?window)會變小。因此，難以通過物理清洗來一邊回避圖案損傷一邊實現優異的顆粒去除性能。

因此，本發明的一個目的在于提供一種基板清洗方法，能應用物理清洗高效地去除基板上的顆粒，且能抑制基板上的圖案的損傷。

本發明的另一目的在于提供一種作成用以執行如前述的基板清洗方法的基板清洗規程的方法及裝置。

本發明的又一目的在于提供一種用以使計算機具有作為基板清洗規程作成裝置的功能的計算機程序。