[發(fā)明專利]基板清洗方法、基板清洗規(guī)程作成方法以及基板清洗規(guī)程作成裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780053446.2 | 申請日: | 2017-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN109661718B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樋口鲇美;小森香奈 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;向勇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 方法 規(guī)程 作成 以及 裝置 | ||
1.一種基板清洗規(guī)程作成方法,為了在基板處理裝置執(zhí)行基板清洗處理而作成應登錄于所述基板處理裝置的規(guī)程數據,所述基板清洗處理用以清洗在表面具有氧化膜的基板;其中,
所述基板清洗處理包含:
部分蝕刻步驟,將所述氧化膜蝕刻至預定的膜厚為止;以及
物理清洗步驟,在所述部分蝕刻步驟之后,對所述基板的表面執(zhí)行物理清洗;
所述基板清洗規(guī)程作成方法包含:
部分蝕刻工序作成步驟,作成用以執(zhí)行所述部分蝕刻步驟的工序數據;
物理清洗工序作成步驟,作成用以執(zhí)行所述物理清洗步驟的工序數據;以及
條件匹配步驟,基于已預先準備并儲存于存儲單元的匹配基準數據來使所述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和所述物理清洗步驟中的物理清洗條件的關系相互匹配,
所述部分蝕刻工序作成步驟包含作成包含所述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件的工序數據的步驟;
在所述條件匹配步驟中執(zhí)行以下步驟:運算單元基于所述匹配基準數據來提示或設定匹配于蝕刻條件的物理清洗條件,所述蝕刻條件包含于在所述部分蝕刻工序作成步驟中所作成的工序數據中。
2.一種基板清洗規(guī)程作成方法,為了在基板處理裝置執(zhí)行基板清洗處理而作成應登錄于所述基板處理裝置的規(guī)程數據,所述基板清洗處理用以清洗在表面具有氧化膜的基板;其中,
所述基板清洗處理包含:
部分蝕刻步驟,將所述氧化膜蝕刻至預定的膜厚為止;以及
物理清洗步驟,在所述部分蝕刻步驟之后,對所述基板的表面執(zhí)行物理清洗;
所述基板清洗規(guī)程作成方法包含:
部分蝕刻工序作成步驟,作成用以執(zhí)行所述部分蝕刻步驟的工序數據;
物理清洗工序作成步驟,作成用以執(zhí)行所述物理清洗步驟的工序數據;以及
條件匹配步驟,基于已預先準備并儲存于存儲單元的匹配基準數據來使所述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和所述物理清洗步驟中的物理清洗條件的關系相互匹配,
所述物理清洗工序作成步驟包含作成包含所述物理清洗步驟中的物理清洗條件的工序數據的步驟;
在所述條件匹配步驟中執(zhí)行以下步驟:運算單元基于所述匹配基準數據來提示或設定匹配于物理清洗條件的蝕刻條件,所述物理清洗條件包含于在所述物理清洗工序作成步驟中所作成的工序數據中。
3.一種基板清洗規(guī)程作成裝置,為了在基板處理裝置執(zhí)行基板清洗處理而作成應登錄于所述基板處理裝置的規(guī)程數據,所述基板清洗處理用以清洗在表面具有氧化膜的基板;
所述基板清洗處理包含:
部分蝕刻步驟,將所述氧化膜蝕刻至預定的膜厚為止;以及
物理清洗步驟,在所述部分蝕刻步驟之后,對所述基板的表面執(zhí)行物理清洗;
所述基板清洗規(guī)程作成裝置包含:
指令輸入單元,接受用戶的指令輸入;
部分蝕刻工序作成單元,按照自所述指令輸入單元所輸入的指令,來作成用以執(zhí)行所述部分蝕刻步驟的工序數據;
物理清洗工序作成單元,按照自所述指令輸入單元所輸入的指令,來作成用以執(zhí)行所述物理清洗步驟的工序數據;以及
條件匹配單元,基于已預先準備并儲存于存儲單元的匹配基準數據來使所述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件和所述物理清洗步驟中的物理清洗條件的關系匹配,
所述部分蝕刻工序作成單元包含按照自所述指令輸入單元所輸入的指令,來作成已設定所述部分蝕刻步驟中的蝕刻條件的工序數據的單元;
所述條件匹配單元包含基于所述匹配基準數據來提示或設定匹配于蝕刻條件的物理清洗條件的單元,所述蝕刻條件包含于通過所述部分蝕刻工序作成單元所作成的工序數據中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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