[發(fā)明專利]基板處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780053159.1
• 申請日: 2017-09-20
• 公開（公告）號: CN109661717B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發(fā)明（設計）人: 樋口鲇美;巖崎晃久
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社斯庫林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 向勇;宋曉寶

本發(fā)明的基板處理方法對在表面形成有低介電常數(shù)覆膜的基板W進行處理。執(zhí)行致密化工序，在該致密化工序中，通過使低介電常數(shù)覆膜的表層部致密化來轉(zhuǎn)換成致密化層。然后，執(zhí)行修復液供給工序，在該修復液供給工序中，在致密化層形成工序之后，向低介電常數(shù)覆膜的表面供給用于修復致密化層的修復液。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種處理基板的基板處理方法。作為處理對象的基板例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED(Field?Emission?Display：場致發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

背景技術(shù)

近年來，在利用基板所制作的器件(例如，半導體器件)中，為了配線彼此的絕緣等而設置有層間絕緣膜。為了實現(xiàn)器件的高速化，要求層間絕緣膜的寄生電容降低。于是，為了降低寄生電容，提出了如下內(nèi)容：將低介電常數(shù)覆膜用作層間絕緣膜，該低介電常數(shù)覆膜由介電常數(shù)比氧化硅(SiO₂)低(例如，4.0以下)的材料即低介電常數(shù)(Low-k)材料構(gòu)成。

在對基板實施干蝕刻或化學研磨法(Chemical?Mechanical?Polishing：CMP)時，有時低介電常數(shù)覆膜會受到損傷。在已受到損傷的低介電常數(shù)覆膜的表面附近系形成有損傷層，由此，低介電常數(shù)覆膜的介電常數(shù)會上升。因此，可能無法獲得所期待的器件特性。因此，在專利文獻1中公開了一種修復低介電常數(shù)覆膜所受到的損傷的方法。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-10610號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

在專利文獻1所記載的方法中，將損傷層暴露于損傷修復劑中，并且對損傷修復劑進行加壓。由此，損傷修復劑容易浸透至損傷層的內(nèi)部。

但是，在專利文獻1所記載的方法中，有時損傷修復劑會越過損傷層而浸透至未受到損傷的部分。即，損傷修復劑可能過度地浸透至低介電常數(shù)覆膜。

由于損傷修復劑浸透至低介電常數(shù)覆膜中并未受到損傷的部分，因此，低介電常數(shù)覆膜的介電常數(shù)可能會發(fā)生變化。而且，難以將暫時浸透至低介電常數(shù)覆膜中的損傷修復劑從低介常數(shù)覆膜排除。

因此，本發(fā)明的一個目的在于，提供一種能夠抑制液狀的修復劑向低介電常數(shù)覆膜過度地浸透的基板處理方法。

用于解決問題的手段

本發(fā)明提供一種基板處理方法，對在表面形成有低介電常數(shù)覆膜的基板進行處理，其中，所述基板處理方法包括：致密化工序，通過使形成于所述低介電常數(shù)覆膜的表層部的損傷層致密化來轉(zhuǎn)換成致密化層；以及修復液供給工序，在所述致密化工序之后，向所述低介電常數(shù)覆膜的表面供給用于修復所述致密化層的損傷的修復液。

根據(jù)該方法，向形成于表層部的損傷層已被轉(zhuǎn)換成致密化層的低介電常數(shù)覆膜的表面供給修復液。由此，液狀的修復液浸透至致密化層，致密化層的損傷被修復。在使損傷層致密化時以致密化層的厚度變?yōu)樗谕暮穸?例如1nm至5nm)的方式來調(diào)整致密化的程度，由此，在修復液供給工序中，能夠抑制供給至低介電常數(shù)覆膜的表面的修復液越過致密化層而浸透至低介電常數(shù)覆膜。即，能夠抑制修復液過度地浸透至低介電常數(shù)覆膜。

在本發(fā)明的一實施方式中，所述致密化工序包括形成與所述損傷層相比所述修復液難以浸透的所述致密化層的工序。