[發(fā)明專利]基板處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780053159.1 | 申請日： | 2017-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN109661717B | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 樋口鲇美;巖崎晃久 | 申請（專利權）人： | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋曉寶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 | ||
1.一種基板處理方法，對在表面形成有低介電常數覆膜的基板進行處理，其中，
所述基板處理方法包括：
致密化工序，通過使形成于所述低介電常數覆膜的表層部且形成有多個空孔的損傷層致密化來轉換成致密化層；以及
修復液供給工序，在所述致密化工序之后，向所述低介電常數覆膜的表面供給用于修復所述致密化層的損傷的修復液，使所述修復液浸透至所述致密化層。
2.如權利要求1所述的基板處理方法，其中，
所述致密化工序包括將所述損傷層轉換成與所述損傷層相比所述修復液難以浸透的所述致密化層的工序。
3.如權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，
所述致密化工序包括將所述低介電常數覆膜的表層部中與所述損傷層相鄰的非損傷層轉換成所述致密化層的工序。
4.如權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，
所述致密化工序包括通過壓縮所述損傷層而使所述多個空孔縮小，將所述損傷層轉換成所述致密化層的工序。
5.如權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，
所述致密化工序包括致密化藥劑供給工序，在所述致密化藥劑供給工序中，向所述低介電常數覆膜的表面供給用于將所述低介電常數覆膜的表層部轉換成所述致密化層的致密化藥劑。
6.如權利要求5所述的基板處理方法，其中，
所述基板處理方法還包括：
清洗工序，在所述致密化藥劑供給工序之前，向所述低介電常數覆膜的表面供給清洗液，從而清洗所述低介電常數覆膜的表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
