[發(fā)明專利]混合式存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780052714.9
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN109643714A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·J·萊恩;K·D·普拉爾;D·V·N·拉馬斯瓦米;R·奎因
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明描述用于混合式存儲器裝置的方法、系統(tǒng)及裝置。所述混合式存儲器裝置可包含單個襯底或裸片上的易失性及非易失性存儲器單元。所述非易失性存儲器單元可具有鐵電電容器，且所述易失性存儲器單元的相應(yīng)邏輯存儲組件可具有順電或線性電介質(zhì)電容器。在一些實例中，所述易失性存儲器單元可用作所述非易失性存儲器單元的高速緩沖存儲器。或者，所述非易失性存儲器單元可用作所述易失性存儲器單元的備份。通過將兩種類型的單元放置于單個裸片上，而非放置于分離裸片上，各種性能度量可改進，包含與電力消耗及操作速度有關(guān)的那些度量。

交叉參考

本專利申請案主張由瑞恩(Ryan)在2016年8月31日申請的轉(zhuǎn)讓給其受讓人的標(biāo)題為“混合式存儲器裝置(Hybrid Memory Device)”的第15/252,886號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)。

背景技術(shù)

下文大體上涉及存儲器裝置，且更具體來說，涉及混合式存儲器裝置。

存儲器裝置廣泛用于在例如計算機、無線通信裝置、相機、數(shù)字顯示器及其類似者的各種電子裝置中存儲信息。通過編程存儲器裝置的不同狀態(tài)來存儲信息。舉例來說，二進制裝置具有兩種狀態(tài)，其通常由邏輯“1”或邏輯“0”標(biāo)示。在其它系統(tǒng)中，可存儲兩種以上狀態(tài)。為存取所存儲的信息，電子裝置可讀取或感測存儲器裝置中的存儲狀態(tài)。為存儲信息，電子裝置可將狀態(tài)寫入于存儲器裝置中或編程存儲器裝置中的狀態(tài)。

存在各種類型的存儲器裝置，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器及其它存儲器。存儲器裝置可為易失性或非易失性。非易失性存儲器(例如，快閃存儲器)可甚至在缺乏外部電源的情況下存儲數(shù)據(jù)達延長時間周期。易失性存儲器裝置(例如，DRAM)可隨時間丟失其存儲數(shù)據(jù)，除非其由外部電源周期性刷新。二進制存儲器裝置可(例如)包含充電或放電電容器。然而，充電電容器可通過泄漏電流隨時間變成放電，從而導(dǎo)致存儲信息的丟失。然而，易失性存儲器的某些特征可提供性能優(yōu)勢，例如更快的讀取或?qū)懭胨俣龋且资源鎯ζ鞯奶卣?例如在無周期性刷新的情況下存儲數(shù)據(jù)的能力)可為有利的。

采用易失性存儲器還是非易失性存儲器的確定通常是特定于使用存儲器裝置的電子裝置的應(yīng)用。由于每一類型的相對益處及缺點，選擇一種存儲器類型而非另一存儲器類型可導(dǎo)致至少一個度量或特性中的降低性能。此可最終限制電子裝置的性能。

附圖說明

本文中的本發(fā)明涉及且包含下列圖：

圖1說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的支持混合式存儲器裝置的實例存儲器陣列；

圖2說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的由混合式存儲器裝置支持的存儲器單元的實例電路；

圖3說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的由混合式存儲器裝置支持的鐵電存儲器單元的實例磁滯曲線圖；

圖4說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的支持混合式存儲器裝置的實例存儲器陣列；

圖5說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的支持混合式存儲器裝置的實例存儲器陣列；

圖6說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的包含混合式存儲器裝置的支持混合式存儲器裝置的系統(tǒng)；

圖7A到7C說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的用于形成混合式存儲器裝置的實例過程流；

圖8說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的用于形成混合式存儲器裝置的實例過程流；

圖9說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的實例混合式存儲器裝置的框圖；

圖10說明根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的包含混合式存儲器裝置的支持混合式存儲器裝置的系統(tǒng)；