[發明專利]混合式存儲器裝置

在審

• 申請號: 201780052714.9
• 申請日: 2017-08-21
• 公開（公告）號: CN109643714A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: K·J·萊恩;K·D·普拉爾;D·V·N·拉馬斯瓦米;R·奎因
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器設備，其包括：

襯底；

第一存儲器單元，其形成于定位于所述襯底上的第一凹槽中，且所述第一存儲器單元包括第一類型電容器；及

第二存儲器單元，其形成于定位于所述襯底上的第二凹槽中，所述第二存儲器單元包括不同于所述第一類型電容器的第二類型電容器。

2.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一存儲器單元是非易失性存儲器單元，且所述第二存儲器單元是易失性存儲器單元。

3.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一類型電容器包括鐵電絕緣體。

4.根據權利要求3所述的存儲器設備，其中所述鐵電絕緣體包括化合物，所述化合物包括鉿、鋯、或氧、或其任一組合。

5.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第二類型電容器包括具有順電材料的電容器。

6.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一存儲器單元或所述第二存儲器單元中的至少一者與埋入式字線電子連通。

7.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一凹槽及所述第二凹槽的開口的最大尺寸小于100納米。

8.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一凹槽或所述第二凹槽形成于定位于所述襯底上的電介質材料中。

9.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一存儲器單元及所述第二存儲器單元各自包括不同陣列的存儲器單元。

10.根據權利要求1所述的存儲器設備，其中所述第一存儲器單元及所述第二存儲器單元各自包括同一陣列的存儲器單元。

11.根據權利要求10所述的存儲器設備，其中所述陣列包括存儲器單元的多個行及存儲器單元的多個列，其中所述多個行中的每一行或所述多個列中的每一列包括共同存取線，且其中所述多個行中的至少一個行或所述多個列中的至少一個列包括包含所述第二類型電容器的存儲器單元，且所述多個行中的行的剩余部分或所述多個列中的列的剩余部分包括包含所述第一類型電容器的存儲器單元。

12.根據權利要求10所述的存儲器設備，其中：

所述陣列包括存儲器單元的多個行及存儲器單元的多個列；

所述多個行中的每一行包括共同存取線，且所述多個列中的每一列包括共同數字線；

所述多個行中的至少一個行及所述多個列中的至少一個列包含存儲器單元，所述存儲器單元包括所述第二類型電容器；且

所述多個行中的行的剩余部分或所述多個列中的列的剩余部分或兩者包含存儲器單元，所述存儲器單元包括所述第一類型電容器。

13.根據權利要求1所述的存儲器設備，其進一步包括：

第一存儲器陣列，其包含所述第一存儲器單元，其中所述第一陣列的每一存儲器單元包括所述第一類型電容器；及

第二存儲器陣列，其包含所述第二存儲器單元，其中所述第二陣列的每一存儲器單元包括所述第二類型電容器。

14.一種存儲器設備，其包括：

第一存儲器單元類型，其包括第一類型電容器；

第二存儲器單元類型，其包括不同于所述第一類型電容器的第二類型電容器；及

存儲器陣列，其中所述存儲器陣列的至少子集包括多個存儲器單元對，且其中每一存儲器單元對包括所述第一存儲器單元類型的第一存儲器單元及所述第二存儲器單元類型的第二存儲器單元。