[發明專利]四極裝置有效
| 申請號: | 201780052183.3 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN109643634B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發明(設計)人: | 大衛·J.·蘭格里奇;馬丁·雷蒙德·格林 | 申請(專利權)人: | 英國質譜公司 |
| 主分類號: | H01J49/00 | 分類號: | H01J49/00;H01J49/42 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 英國威*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
公開了一種操作四極裝置的方法,所述方法包括在第一操作模式下操作所述四極裝置以及在第二操作模式下操作所述四極裝置。在所述第一操作模式下操作所述四極裝置包括:將一個或多個第一電壓施加于所述四極裝置,使得在初始穩定區域中操作所述四極裝置且使得至少一些離子在所述四極裝置內為穩定的。在所述第二操作模式下操作所述四極裝置包括:將一個或多個第二電壓施加于所述四極裝置,使得在不同的穩定區域中操作所述四極裝置且使得在所述第一操作模式下在所述四極裝置內穩定的所述離子中的至少一些離子在所述第二操作模式下在所述四極裝置內為穩定的。
相關申請的交叉引用
本申請要求在2016年9月6日遞交的英國專利申請No.1615127.6的優先權和權益。該申請的全部內容通過引用并入在本文中。
技術領域
本發明總體涉及四極裝置和分析儀器,諸如包括四極裝置的質量和/或離子遷移譜儀,且尤其涉及四極離子阱、線性離子阱和四極濾質器以及包括四極離子阱、線性離子阱和四極濾質器的分析儀器。
背景技術
四極裝置,諸如四極離子阱、線性離子阱和四極濾質器,包括一組復數個電極。
在操作中,將一個或多個驅動電壓施加于四極裝置的電極,使得具有在預期質荷比范圍內的質荷比的離子將被保持在裝置內和/或被裝置向前傳輸。具有在該質荷比范圍之外的質荷比的離子將被丟棄和/或基本上被衰減。
選擇驅動電壓使得在一個或多個所謂的“穩定區域”之一內操作四極裝置,即使得至少一些離子將在四極裝置中占用穩定軌跡。通常使四極裝置在所謂的“第一”(即最低級)穩定區域內操作。
四極裝置在更高級穩定區域中(即在除了第一穩定區域以外的穩定區域中)的操作可以為預期的且可以為有益的。例如,在更高穩定區域中的操作可以減小為了實現給定分辨率所需的RF周期的數量。在更高穩定區域中的操作也可以在峰形上帶來改善。
然而,當在更高級穩定區域中操作四極裝置時,可能難以獲得進入和/或通過該四極裝置的高離子傳輸。在四極濾質器和線性離子阱的情況下,這是因為低接受度、以及在這些區域中操作時產生的高度分散的邊緣場。在四極離子阱的情況下,這是因為在這些區域中操作時的低捕獲效率。
已經提出了各種用于提高進入和/或通過四極濾質器的傳輸的方法,諸如使用布魯貝克(Brubaker)透鏡、鎖相RF透鏡、和高能注入。
當在第一穩定區域中操作四極濾質器時,布魯貝克透鏡可以為有效方案。然而,對于更高穩定區域,在穩定性圖上不具有連續穩定的路徑,因此不能在更高穩定區域中將這些透鏡用于操作。
鎖相RF透鏡試圖調整輸入離子狀況以更好地匹配接受橢圓,因為該接受橢圓在RF周期的相位之上改變。然而,當這些透鏡試圖提高通過四極濾質器的傳輸時,這些透鏡不直接解決邊緣場的問題。
高能注入技術試圖通過減小在邊緣場區域中耗費的RF周期離子的數量來提高傳輸。然而,該方法是不利的,因為它減小由四極濾質器自身內的離子看到的RF周期的數量,導致分辨率降低。
期望提供一種改善的四極裝置。
發明內容
根據一個方面,提供一種操作四極裝置的方法,所述方法包括:
在第一操作模式下操作所述四極裝置;以及
在第二操作模式下操作所述四極裝置;
其中,在所述第一操作模式下操作所述四極裝置包括:將一個或多個第一電壓施加于所述四極裝置,使得在初始穩定區域中操作所述四極裝置且使得至少一些離子在所述四極裝置內為穩定的;以及
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