[發明專利]四極裝置有效
| 申請號: | 201780052183.3 | 申請日: | 2017-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN109643634B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發明(設計)人: | 大衛·J.·蘭格里奇;馬丁·雷蒙德·格林 | 申請(專利權)人: | 英國質譜公司 |
| 主分類號: | H01J49/00 | 分類號: | H01J49/00;H01J49/42 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 英國威*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 | ||
1.一種操作四極裝置的方法,包括:
在第一操作模式下操作所述四極裝置;并且
在第二操作模式下操作所述四極裝置;
其中,在所述第一操作模式下操作所述四極裝置包括:將一個或多個第一電壓施加于所述四極裝置,使得在初始穩定區域中操作所述四極裝置且使得至少一些離子在所述四極裝置內為穩定的;并且
其中,在所述第二操作模式下操作所述四極裝置包括:將一個或多個第二電壓施加于所述四極裝置,使得在不同等級的穩定區域中操作所述四極裝置且使得在所述第一操作模式下在所述四極裝置內穩定的所述離子中的至少一些離子在所述第二操作模式下在所述四極裝置內為穩定的,其中,所述不同等級的穩定區域為比所述初始穩定區域更高級的穩定區域。
2.如權利要求1所述的方法,進一步包括:當在所述第一操作模式下操作所述四極裝置時,將離子傳遞到所述四極裝置中和/或在所述四極裝置中產生離子。
3.如權利要求1或2所述的方法,其中,所述一個或多個第一電壓和/或所述一個或多個第二電壓包括一個或多個數字驅動電壓。
4.如權利要求1或2所述的方法,其中:
所述一個或多個第一電壓包括第一重復電壓波形,所述第一重復電壓波形具有一個或多個第一振幅、第一頻率、第一形狀和/或第一占空比;
所述一個或多個第二電壓包括第二重復電壓波形,所述第二重復電壓波形具有一個或多個第二振幅、第二頻率、第二形狀和/或第二占空比;并且
所述第一振幅和所述第二振幅、所述第一頻率和所述第二頻率、所述第一形狀和所述第二形狀、以及所述第一占空比和所述第二占空比中的一者或多者或全部為不同的。
5.如權利要求1或2所述的方法,其中:
所述一個或多個第一電壓包括第一重復電壓波形,所述第一重復電壓波形具有一個或多個第一振幅;
所述一個或多個第二電壓包括第二重復電壓波形,所述第二重復電壓波形具有一個或多個第二振幅;并且
所述第一振幅和所述第二振幅中的一者或多者為基本相同的。
6.如權利要求1或2所述的方法,其中:
所述一個或多個第一電壓包括第一重復電壓波形;并且
選擇所述一個或多個第一電壓終止時所述第一電壓波形的相位,以便提高在所述四極裝置中的離子保留和/或通過所述四極裝置的離子傳輸。
7.如權利要求1或2所述的方法,其中:
所述一個或多個第二電壓包括第二重復電壓波形;并且
選擇所述一個或多個第二電壓啟動時所述第二電壓波形的相位,以便提高在所述四極裝置中的離子保留和/或通過所述四極裝置的離子傳輸。
8.如權利要求1或2所述的方法,進一步包括:在施加所述一個或多個第一電壓之后并且在施加所述一個或多個第二電壓之前,將一個或多個恒定DC電壓、一個或多個聚焦脈沖、和/或一個或多個散焦脈沖施加于所述四極裝置。
9.如權利要求1或2所述的方法,其中,所述四極裝置包括四極離子阱、線性離子阱或四極濾質器。
10.如權利要求1或2所述的方法,其中,所述一個或多個第一電壓和/或所述一個或多個第二電壓包括一個或多個四極重復電壓波形;或者,
所述一個或多個第一電壓和/或所述一個或多個第二電壓包括一個或多個四極重復電壓波形,連同一個或多個雙極重復電壓波形一起。
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