[發(fā)明專利]自我修復(fù)式半導(dǎo)體晶片處理有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780052181.4 | 申請(qǐng)日： | 2017-08-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN109643671B | 公開（公告）日： | 2023-06-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·A·哈賈 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/66 | 分類號(hào)： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 自我 修復(fù) 半導(dǎo)體 晶片 處理 | ||
1.一種用于修正處理偏移以促進(jìn)基板處理的方法，包含：
在處理腔室內(nèi)執(zhí)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，以針對(duì)與所述處理腔室相關(guān)聯(lián)的每一個(gè)可調(diào)整處理控件在測(cè)試基板上多個(gè)位置處獲得傳感器讀數(shù)和膜特性；
使用從所述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)所獲得的所述傳感器讀數(shù)和所述膜特性，對(duì)所述測(cè)試基板上的各個(gè)位置建立回歸模型；
在所述處理腔室內(nèi)的生產(chǎn)期間追蹤傳感器讀數(shù)的改變；
使用所述回歸模型識(shí)別傳感器讀數(shù)的偏移，所述傳感器讀數(shù)的所述偏移可導(dǎo)致在生產(chǎn)基板上所形成的膜的膜特性的改變；以及
調(diào)整一個(gè)或更多個(gè)處理控件，以修正傳感器讀數(shù)的所述偏移。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述回歸模型包括關(guān)于所述膜特性中的一個(gè)的多個(gè)傳感器讀數(shù)。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述膜特性中的所述一個(gè)是所述膜的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中傳感器讀數(shù)的所述偏移包含從設(shè)定點(diǎn)偏移離開百分之0.5至百分之3。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)中識(shí)別所述一個(gè)或更多個(gè)處理控件。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包含驗(yàn)證所述回歸模型。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中驗(yàn)證所述回歸模型包含：
在所述生產(chǎn)基板上執(zhí)行度量，以獲得所述膜的膜特性；以及
基于所述回歸模型，將從所述度量獲得的所述膜特性與預(yù)測(cè)的膜特性作比較。
8.一種用于修正處理偏移以促進(jìn)基板處理的方法，包含：
在處理腔室內(nèi)執(zhí)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，以針對(duì)與所述處理腔室相關(guān)聯(lián)的每一個(gè)可調(diào)整處理控件在測(cè)試基板上多個(gè)位置處獲得傳感器讀數(shù)和膜特性；
使用從所述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)獲得的所述傳感器讀數(shù)和所述膜特性，對(duì)所述測(cè)試基板上的各個(gè)位置建立回歸模型；
在所述處理腔室內(nèi)的生產(chǎn)期間追蹤傳感器讀數(shù)的改變；
使用所述回歸模型識(shí)別傳感器讀數(shù)的偏移，所述傳感器讀數(shù)的所述偏移可導(dǎo)致在生產(chǎn)基板上所形成的膜的膜特性的改變；以及
停止所述處理腔室內(nèi)的所述生產(chǎn)。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述回歸模型包括關(guān)于所述膜特性中的一個(gè)的多個(gè)傳感器讀數(shù)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述膜特性的所述一個(gè)是所述膜的厚度。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中傳感器讀數(shù)的所述偏移包含從設(shè)定點(diǎn)偏移離開大于百分之3。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包含驗(yàn)證所述回歸模型。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述驗(yàn)證所述回歸模型包含：
在所述生產(chǎn)基板上執(zhí)行度量，以獲得膜特性；以及
基于所述回歸模型，將從所述度量獲得的所述膜特性與預(yù)測(cè)的膜特性作比較。
14.一種用于修正處理偏移以促進(jìn)基板處理的方法，包含：
在處理腔室內(nèi)的膜形成處理期間預(yù)測(cè)膜特性，其中所述預(yù)測(cè)膜特性包含：
追蹤所述處理腔室內(nèi)的傳感器讀數(shù)；以及
使用回歸模型識(shí)別所述傳感器讀數(shù)的偏移，所述傳感器讀數(shù)的所述偏移可導(dǎo)致在生產(chǎn)基板上所形成的所述膜的所述膜特性的改變；以及
修正所述傳感器讀數(shù)的所述偏移。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中使用從所述處理腔室內(nèi)執(zhí)行的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)所獲得的傳感器讀數(shù)和膜特性建立所述回歸模型。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)被執(zhí)行，以針對(duì)與所述處理腔室相關(guān)聯(lián)的每一個(gè)可調(diào)整處理控件在測(cè)試基板上多個(gè)位置處獲得傳感器讀數(shù)和膜特性。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
