[發明專利]自我修復式半導體晶片處理

有效

• 申請號: 201780052181.4
• 申請日: 2017-08-03
• 公開（公告）號: CN109643671B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: A·A·哈賈
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 汪駿飛;侯穎媖

本公開的實現大體處理基板的方法，且更具體地，涉及用于預測、量化及修正處理偏移的方法。在一個實現中，所述方法包括在處理腔室內執行實驗設計(DOE)，以針對與處理腔室相關聯的每一個可調整處理控件在基板上多個位置處獲得傳感器讀數和膜特性；使用從所述DOE所獲得的傳感器讀數和膜特性，對基板上的各個位置建立回歸模型；在生產期間追蹤傳感器讀數的改變；使用所述回歸模型，識別可導致膜特性的改變的傳感器讀數的偏移；以及調整一個或更多個處理控件，以修正傳感器讀數的偏移而使膜特性的改變最小化。

技術領域

本公開的實施例大體涉及處理基板的方法，且更具體地，涉及用于預測、量化和修正處理偏移的方法。

現有技術

許多工業利用包括多個傳感器及控件的復雜制造設備，各個制造設備在處理期間可被監控，以確保生產質量。然而，諸如用于多個傳感器和控件的單變量模型、趨勢圖或統計處理監測的方法并不足以識別處理偏移。例如，當處理在處理腔室內偏移時，改變不正確的調整變量或單一變量以撥改正在偏移的處理通常并非正確。這也導致腔室恢復時間的增加和清潔間平均加工晶片數(MWBC)的減少。

因此，需要一種改進的方法用于預測、量化和修正處理偏移。

發明內容

本公開的實施例大體涉及處理基板的方法，且更具體地，涉及用于預測、量化和修正處理偏移的方法。

在一個實施例中，一種方法包括：在處理腔室內執行實驗設計，以針對與處理腔室相關聯的每一個可調整處理控件在測試基板上多個位置處獲得傳感器讀數和膜特性；使用從實驗設計所獲得的傳感器讀數和膜特性，對測試基板上的各個位置建立回歸模型；在處理腔室內的生產期間追蹤傳感器讀數的改變；使用回歸模型，識別可導致在生產基板上所形成的膜的膜特性的改變的傳感器讀數的偏移；以及調整一個或更多個處理控件，以修正傳感器讀數中所識別的偏移。

在一個實施例中，一種方法包括：在處理腔室內執行實驗設計，以針對與處理腔室相關聯的每一個可調整處理控件在測試基板上多個位置處獲得傳感器讀數和膜特性；使用從實驗設計所獲得的傳感器讀數和膜特性，對測試基板上的各個位置建立回歸模型；在處理腔室內的生產期間追蹤傳感器讀數的改變；使用回歸模型，識別可導致在生產基板上所形成的膜的膜特性的改變的傳感器讀數的偏移；以及停止生產。

在一個實施例中，一種方法包括以下步驟：在處理腔室內的膜形成處理期間預測膜特性，其中預測膜特性的步驟包含：在處理腔室內追蹤傳感器讀數；以及使用回歸模型識別傳感器讀數的偏移，傳感器讀數的偏移可導致在生產基板上所形成的膜的膜特性的改變。

附圖說明

為了可以更加詳細理解上述的本公開所記載的特征，上文中簡述的本公開的更具體說明可參考實施例而取得，某些實施例在附圖中描繪。然而，應理解附圖僅描繪示例實施例，且因此不應考慮為限制其范圍，而可允許其他等效的實施例。

圖1根據本文所公開的一個實施例，描繪一種方法的操作。

具體實施方式

本公開的實施例大體涉及處理基板的方法，且更具體地，涉及用于預測、量化和修正處理偏移的方法。在一個實施例中，此方法包括在處理腔室內執行實驗設計(DOE)，以針對與處理腔室相關聯的每一個可調整處理控件在基板上多個位置處獲得傳感器讀數和膜特性；使用從DOE所獲得的傳感器讀數和膜特性，對基板上的各個位置建立回歸模型；在生產期間追蹤傳感器讀數的改變；使用回歸模型，識別可導致膜特性的改變的傳感器讀數的偏移；以及調整一個或更多處理控件，以修正傳感器讀數的偏移而使膜特性的改變最小化。該方法不僅預測和量化處理條件(即，傳感器讀數)中的處理偏移或失配，而且還修正傳感器讀數的偏移，以保持處理腔室效能的穩定。