[發(fā)明專利]用于制備環(huán)氧化催化劑的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780051998.X | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN109641199A | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·A·賽義德;A·庫爾卡尼;V·P·桑托斯卡斯特羅;V·J·蘇斯曼;J·C·麥基恩;C·L·特維;C·S·托德 | 申請(專利權(quán))人: | 陶氏技術(shù)投資有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | B01J37/02 | 分類號: | B01J37/02;B01J23/50;B01J37/00;C07D317/04;C07D317/36;C07C213/04;C07C215/08;C07D301/10 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
| 地址: | 美國密*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 浸漬 多峰 制備 浸漬溶液 銀浸漬 去除 重復(fù) 焙燒 乙烷 環(huán)氧化催化劑 含銀催化劑 乙烯選擇性 離心步驟 去除裝置 氧化成環(huán) 離心機(jī) 大孔 含銀 銀量 煅燒 | ||
1.一種用于制備用于使烯烴環(huán)氧化的含銀催化劑的方法,其包括以下步驟:
(a)提供多孔多峰載體,其具有第一尺寸范圍的至少第一組載體孔和第二尺寸范圍的至少第二組載體孔,其中所述第二組載體孔的所述第二尺寸范圍小于所述第一組載體孔的所述第一尺寸范圍;
(b)提供第一含銀浸漬溶液以將所述第一含銀浸漬溶液浸漬到所述多孔多峰載體的所述至少第一組載體孔和所述至少第二組載體孔中;
(c)一次或多次地用來自步驟(b)的所述第一含銀浸漬溶液浸漬所述多孔多峰載體以使所述多孔多峰載體提供有第一量的含銀浸漬溶液;以及
(d)從所述多孔多峰載體中選擇性地去除所浸漬第一含銀浸漬溶液的至少一部分以使所述多孔多峰載體提供有保留在所述載體孔中的第二量的第一含銀浸漬溶液;其中,所述所浸漬第一含銀浸漬溶液的至少一部分是通過以下從所述多孔多峰載體的所述至少第一組載體孔中去除的:在所述浸漬步驟(c)之后一次或多次地使所浸漬多孔多峰載體經(jīng)歷去除裝置,持續(xù)足以選擇性地去除所述多孔多峰載體的所述至少第一組載體孔中含有的所述所浸漬第一含銀浸漬溶液的至少一部分的時間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述選擇性去除步驟(d)去除所述多孔多峰載體的所述至少第一組載體孔中含有的所述所浸漬第一含銀浸漬溶液的至少20%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其包含步驟(e):一次或多次地以足以形成可用于使烯烴環(huán)氧化的含銀催化劑的時間和溫度焙燒在步驟(d)中產(chǎn)生的所述所浸漬多孔多峰載體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述選擇性去除步驟(d)通過以下被執(zhí)行一次或多次:在所述浸漬步驟(c)之后對所述所浸漬多孔多峰載體進(jìn)行離心,并且其中所述去除裝置為一個或多個離心裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述浸漬步驟(c)被執(zhí)行兩次或更多次;或者其中所述去除步驟(d)被執(zhí)行兩次或更多次并且是在兩種或更多種不同的工藝條件下執(zhí)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述浸漬步驟(c)在所述離心步驟(d)之前被執(zhí)行兩次或更多次。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中所述離心步驟(d)在所述焙燒步驟(e)之前被執(zhí)行兩次或更多次,或者其中所述焙燒步驟(e)被執(zhí)行兩次或更多次。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述載體的所述第一組孔的所述第一孔徑范圍為約3微米到約200微米;并且其中所述載體的所述第二組孔的所述第二孔徑范圍為約0.01微米到約3微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述第一含銀浸漬溶液進(jìn)一步包括一種或多種促進(jìn)劑。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述載體包括α氧化鋁。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中基于所述多孔多峰載體的總重量,在所述多孔多峰載體上提供有至少10重量%的銀負(fù)載量。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陶氏技術(shù)投資有限責(zé)任公司,未經(jīng)陶氏技術(shù)投資有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780051998.X/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





