[發(fā)明專利]包括管芯的低剖面玻璃基無源(PoG)器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780051836.6
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN109643701A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·維綸茨;N·S·慕達(dá)卡特;C·尹;D·伯蒂;S·顧;J·金;C·左
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H02M3/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳煒;亓云

1.一種器件，包括：

單個(gè)基板層；

所述單個(gè)基板層上方的多個(gè)互連，所述多個(gè)互連被配置成作為至少一個(gè)無源組件來操作；

耦合至所述單個(gè)基板層和所述多個(gè)互連的第一管芯；以及

封裝層，所述封裝層至少部分地封裝所述第一管芯和配置成作為至少一個(gè)無源組件來操作的所述多個(gè)互連。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述單個(gè)基板層、所述第一管芯和所述封裝層包括約225微米(μm)或更小的總體厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述單個(gè)基板層包括約50-75微米(μm)的厚度。

4.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述封裝層包括約100微米(μm)或更小的厚度。

5.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述單個(gè)基板層包括單層玻璃或單層硅。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件進(jìn)一步包括基本上穿過所述單個(gè)基板層的腔。

7.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述至少一個(gè)無源組件包括電感器。

8.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件進(jìn)一步包括耦合至所述單個(gè)基板層和所述多個(gè)互連的第二管芯。

9.如權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，所述多個(gè)互連被配置成作為第一電感器和第二電感器來操作，所述第一電感器耦合至所述第一管芯，且所述第二電感器耦合至所述第二管芯。

10.如權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件被納入到從包括以下各項(xiàng)的組中選擇的設(shè)備中：音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、移動(dòng)設(shè)備、移動(dòng)電話、智能電話、個(gè)人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備、膝上型計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、以及機(jī)動(dòng)車中的設(shè)備。

11.一種裝備，包括：

單個(gè)基板層；

位于所述單個(gè)基板層上方的用于無源功能性的裝置；

耦合至所述單個(gè)基板層和所述用于無源功能性的裝置的第一管芯；以及

封裝層，所述封裝層至少部分地封裝所述第一管芯和所述用于無源功能性的裝置。

12.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述單個(gè)基板層、所述第一管芯和所述封裝層包括約225微米(μm)或更小的總體厚度。

13.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述單個(gè)基板層包括約50-75微米(μm)的厚度。

14.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述封裝層包括約100微米(μm)或更小的厚度。

15.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述單個(gè)基板層包括單層玻璃或單層硅。

16.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述裝備進(jìn)一步包括基本上穿過所述單個(gè)基板層的腔。

17.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述用于無源功能性的裝置包括電感器。

18.如權(quán)利要求11所述的裝備，其特征在于，所述裝備進(jìn)一步包括耦合至所述單個(gè)基板層和所述用于無源功能性的裝置的第二管芯。

19.如權(quán)利要求18所述的裝備，其特征在于，所述用于無源功能性的裝置包括第一電感器和第二電感器，所述第一電感器耦合至所述第一管芯，并且所述第二電感器耦合至所述第二管芯。