[發明專利]電解電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 201780051779.1
• 申請日: 2017-08-08
• 公開（公告）號: CN109643610B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 福井齊;鈴木慎也;岡本浩治;長島慎人
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01G9/028
• 分類號: H01G9/028;C08L65/00;C08L79/00;H01G9/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 高穎

電解電容器具備：陽極體；形成于陽極體上的電介質層；形成于衍生物層上的固體電解質層；和形成于固體電解質層上的陰極引出層。固體電解質層包含具有噻吩骨架的第1導電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導電性高分子。固體電解質層的電介質層側的第2導電性高分子的量大于固體電解質層的陰極引出層側的第2導電性高分子的量。

技術領域

本發明涉及具有含導電性高分子的固體電解質層的電解電容器及其制造方法。

背景技術

作為小型且大電容、低ESR的電容器，具備形成有電介質層的陽極體、和覆蓋電介質層的至少一部分而形成的固體電解質層的電解電容器被寄予很大期望。在固體電解質層中廣泛使用包含聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的導電性高分子層(參考專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特表2002-524593號公報

發明內容

發明想要解決的框體

但是，形成于電介質層之上的包含PEDOT的導電性高分子層由于易于因反復充放電而收縮，因此若反復進行充放電，則導電性高分子層與電介質層等的緊貼性就會降低，電解電容器的電容就有可能降低。

因此，本發明的目的在于，提供反復充放電特性卓越的電解電容器及其制造方法。

用于解決課題的技術方案

本發明的一個局面涉及電解電容器，該電解電容器具備：陽極體；形成于所述陽極體上的電介質層；形成于所述電介質層上的固體電解質層；和形成于所述固體電解質層上的陰極引出層，所述固體電解質層包含具有噻吩骨架的第1導電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導電性高分子，所述固體電解質層的靠近所述電介質層的區域中的、所述第2導電性高分子相對于所述第1導電性高分子以及所述第2導電性高分子的合計質量的質量比率大于所述固體電解質層的靠近所述陰極引出層的區域中的、所述第2導電性高分子相對于所述第1導電性高分子以及所述第2導電性高分子的合計質量的質量比率。

本發明另一個局面涉及電解電容器的制造方法，該電解電容器的制造方法包含：第1工序，使包含具有噻吩骨架的第1導電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導電性高分子的第1處理液與在表面形成有電介質層的陽極體接觸，從而使所述第1導電性高分子以及所述第2導電性高分子進行附著；和第2工序，在所述第1工序之后，使包含所述第1導電性高分子且與所述第1處理液相比所述第2導電性高分子相對于所述第1導電性高分子以及所述第2導電性高分子的合計質量的含有比率較小的第2處理液與附著有所述第1導電性高分子以及所述第2導電性高分子的所述陽極體接觸，從而至少使所述第1導電性高分子進行附著。

發明效果

根據本發明，能抑制伴隨電解電容器的反復充放電的電容降低。另外，能得到高電容且耐電壓特性卓越的電解電容器。

附圖說明

圖1是本發明的一個實施方式所涉及的電解電容器的截面示意圖。

圖2是將圖1所示的電解電容器的主要部分放大的截面示意圖。

具體實施方式

[電解電容器]

本發明的一個實施方式所涉及的電解電容器具備：陽極體；形成于陽極體上的電介質層；形成于電介質層上的固體電解質層；和形成于固體電解質層上的陰極引出層。

固體電解質層包含具有噻吩骨架的第1導電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導電性高分子，固體電解質層的電介質層側的第2導電性高分子的量(質量比率)大于固體電解質層的陰極引出層側的第2導電性高分子的量(質量比率)。