[發(fā)明專(zhuān)利]電解電容器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780051779.1
• 申請(qǐng)日: 2017-08-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109643610B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福井齊;鈴木慎也;岡本浩治;長(zhǎng)島慎人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01G9/028
• 分類(lèi)號(hào): H01G9/028;C08L65/00;C08L79/00;H01G9/00
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 高穎

1.一種電解電容器，具備：

陽(yáng)極體；

形成于所述陽(yáng)極體上的電介質(zhì)層；

形成于所述電介質(zhì)層上的固體電解質(zhì)層；和

形成于所述固體電解質(zhì)層上的陰極引出層，

所述固體電解質(zhì)層包含具有噻吩骨架的第1導(dǎo)電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導(dǎo)電性高分子，

所述固體電解質(zhì)層具有靠近所述電介質(zhì)層的第1區(qū)域和比所述第1區(qū)域更靠近所述陰極引出層的第2區(qū)域，

所述第1區(qū)域包含所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子，

所述第2區(qū)域包含所述第1導(dǎo)電性高分子，

所述第1區(qū)域中的、所述第2導(dǎo)電性高分子相對(duì)于所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)質(zhì)量的質(zhì)量比率大于所述第2區(qū)域中的、所述第2導(dǎo)電性高分子相對(duì)于所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)質(zhì)量的質(zhì)量比率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解電容器，其中，

所述陽(yáng)極體的至少一部分是多孔質(zhì)，

所述固體電解質(zhì)層的一部分侵入到所述陽(yáng)極體的孔內(nèi)，

所述第1區(qū)域存在于所述陽(yáng)極體的孔內(nèi)，所述第2區(qū)域存在于所述陽(yáng)極體的孔外。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電解電容器，其中，

所述固體電解質(zhì)層的所述第1區(qū)域中的所述第2導(dǎo)電性高分子的所述質(zhì)量比率相對(duì)于所述固體電解質(zhì)層的所述第1區(qū)域中的所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)100質(zhì)量份是5質(zhì)量份以上且80質(zhì)量份以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電解電容器，其中，

所述固體電解質(zhì)層的所述第2區(qū)域不包含所述第2導(dǎo)電性高分子。

5.一種電解電容器，具備：

陽(yáng)極體；

形成于所述陽(yáng)極體上的電介質(zhì)層；

形成于所述電介質(zhì)層上的固體電解質(zhì)層；和

形成于所述固體電解質(zhì)層上的陰極引出層，

所述固體電解質(zhì)層包含具有噻吩骨架的第1導(dǎo)電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導(dǎo)電性高分子，

所述固體電解質(zhì)層包含第1導(dǎo)電性高分子層、和形成得比所述第1導(dǎo)電性高分子層更靠近所述陰極引出層的第2導(dǎo)電性高分子層，

所述第1導(dǎo)電性高分子層包含所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子，

所述第2導(dǎo)電性高分子層包含所述第1導(dǎo)電性高分子，

所述第1導(dǎo)電性高分子層中的、所述第2導(dǎo)電性高分子相對(duì)于所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)質(zhì)量的質(zhì)量比率大于所述第2導(dǎo)電性高分子層中的、所述第2導(dǎo)電性高分子相對(duì)于所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)質(zhì)量的質(zhì)量比率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電解電容器，其中，

所述第1導(dǎo)電性高分子層中的所述第2導(dǎo)電性高分子的所述質(zhì)量比率相對(duì)于所述第1導(dǎo)電性高分子層中的所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)100質(zhì)量份是5質(zhì)量份以上且80質(zhì)量份以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電解電容器，其中，

所述第2導(dǎo)電性高分子層不包含所述第2導(dǎo)電性高分子。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的電解電容器，其中，

所述第1導(dǎo)電性高分子包含聚(3，4-乙烯二氧噻吩)，所述第2導(dǎo)電性高分子包含聚苯胺。

9.一種電解電容器的制造方法，包含：

第1工序，使包含具有噻吩骨架的第1導(dǎo)電性高分子、和具有苯胺骨架的第2導(dǎo)電性高分子的第1處理液與在表面形成有電介質(zhì)層的陽(yáng)極體接觸，從而使所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子進(jìn)行附著；和

第2工序，在所述第1工序之后，使包含所述第1導(dǎo)電性高分子且與所述第1處理液相比所述第2導(dǎo)電性高分子相對(duì)于所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的合計(jì)質(zhì)量的質(zhì)量比率較小的第2處理液與附著有所述第1導(dǎo)電性高分子以及所述第2導(dǎo)電性高分子的所述陽(yáng)極體接觸，從而至少使所述第1導(dǎo)電性高分子進(jìn)行附著。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電解電容器的制造方法，其中，

所述第1導(dǎo)電性高分子包含聚(3，4-乙烯二氧噻吩)，所述第2導(dǎo)電性高分子包含聚苯胺。