[發明專利]固態成像裝置及其制造方法和電子設備在審
| 申請號: | 201780051732.5 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN109661727A | 公開(公告)日: | 2019-04-19 |
| 發明(設計)人: | 中食慎太郎;狹山征博 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B5/20;G02B5/22;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 姚鵬;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學濾波 固態成像裝置 像素 電子設備 紅外截止濾波器 光電轉換單元 可見光像素 像素區域 濾色器 混色 分隔 隔壁 制造 配置 應用 | ||
本發明涉及能夠抑制混色發生的固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法和電子設備。所述固態成像裝置設置有布置在像素區域中的多個像素。每個像素都具有:設置在光電轉換單元上的第一光學濾波層;配置在第一光學濾波層上的第二光學濾波層;和用于針對各像素分隔第一光學濾波層的至少一部分的分隔壁。與至少一個所述像素對應的第一光學濾波層和第二光學濾波層中的一者由紅外截止濾波器形成,而另一者由濾色器形成。本發明能夠應用于設置有可見光像素的CMOS圖像傳感器。
技術領域
本發明涉及固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法和電子設備,特別地,涉及能夠抑制混色發生的固態成像裝置、固態成像裝置的制造方法和電子設備。
背景技術
常規地,使用可見光進行成像和使用紅外光進行成像的固態成像裝置是已知的。
在這樣的固態成像裝置中,紅外光像素例如能夠通過疊加紅色(R)和藍色(B)濾色器而形成。在這種情況下,所有像素(可見光像素和紅外光像素)在波長為700nm或以上的紅外光區域中具有大致相同的透光率。因此,可見光像素和紅外光像素之間發生混色,從而顏色分離和S/N(信噪比)劣化。
同時,例如,專利文獻1公開了將紅外截止濾波器形成在可見光像素的濾色器的下方。該紅外截止濾波器由通過交替層疊具有高折射率的物質和具有低折射率的物質而獲得的多層干涉膜形成。
引用列表
專利文獻
專利文獻1:特開號為2009-158944的日本專利申請
發明內容
本發明要解決的技術問題
然而,在專利文獻1的紅外截止濾波器中,紅外光的透射分布依賴于入射角,或者步驟的數量增加從而提高工藝的難度。
鑒于上述情況做出本發明,本發明能夠在紅外光的透射分布不依賴于入射角的同時抑制像素之間發生混色,且步驟的數量不會提高導致工藝的難度增加。
技術問題的解決方案
本發明的固態成像裝置包括布置在像素區域中的多個像素。每個像素都具有:配置在光電轉換單元上的第一光學濾波層;配置在第一光學濾波層上的第二光學濾波層;和用于針對各像素分隔第一光學濾波層的至少一部分隔離的分隔壁。至少一個所述像素中的第一光學濾波層和第二光學濾波層中的一者由紅外截止濾波器形成,而另一者由濾色器形成。
根據本發明的固態成像裝置的制造方法是用于制造如下固態成像裝置的制造方法:所述固態成像裝置包括布置在像素區域中的多個像素,每個像素都具有:配置在光電轉換單元上的第一光學濾波層;配置在第一光學濾波層上的第二光學濾波層;和用于針對各像素分隔第一光學濾波層的至少一部分的分隔壁,所述方法包括:形成所述分隔壁;形成所述第一光學濾波層;以及形成所述第二光學濾波層,其中,至少一個所述像素中的第一光學濾波層和第二光學濾波層中的一者由紅外截止濾波器形成,而另一者由濾色器形成。
本發明的電子設備包括固態成像裝置,該固態成像裝置包括布置在像素區域中的多個像素,其中,每個像素都具有:配置在光電轉換單元上的第一光學濾波層;配置在第一光學濾波層上的第二光學濾波層;和用于針對各像素分離第一光學濾波層的至少一部分的分隔壁,且至少一個所述像素中的第一光學濾波層和第二光學濾波層中的一者由紅外截止濾波器形成,而另一者由濾色器形成。
本發明包括布置在像素區域中的多個像素。每個像素都具有:配置在光電轉換單元上的第一光學濾波層;配置在第一光學濾波層上的第二光學濾波層;和用于針對各像素分隔第一光學濾波層的至少一部分的分隔壁。至少一個所述像素中的第一光學濾波層和第二光學濾波層中的一者由紅外截止濾波器形成,而另一者由濾色器形成。
本發明的技術效果
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼半導體解決方案公司,未經索尼半導體解決方案公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





