[發(fā)明專利]貼合用基板的表面缺陷的評價方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780051581.3
• 申請日: 2017-07-26
• 公開（公告）號: CN109643670B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐藤一彌;橋本浩昌;西澤毅;堀江啟貴
• 申請（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/956
• 代理公司: 北京京萬通知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11440
• 代理人: 許天易

1.一種貼合用基板的表面缺陷的評價方法，包含以下步驟：

準備經(jīng)鏡面加工的單晶硅基板；

檢查該經(jīng)鏡面加工的單晶硅基板的表面缺陷；

于經(jīng)進行該單晶硅基板的缺陷檢查的表面堆積多晶硅層；

對經(jīng)堆積多晶硅層的該單晶硅基板進行鏡面倒角；

研磨該多晶硅層的表面；

檢查經(jīng)研磨的該多晶硅層的表面缺陷；以及

比較檢查該單晶硅基板的表面缺陷的步驟中與檢查該多晶硅層的表面缺陷的步驟中所檢測出的缺陷的坐標，以有無于同一位置的缺陷，對具有多晶硅層的該單晶硅基板進行作為貼合用基板的良莠判定。

2.如權(quán)利要求1所述的貼合用基板的表面缺陷的評價方法，其中該貼合用基板，為貼合式SOI晶圓的基底晶圓。