[發(fā)明專利]補償電路元件中的沉積不均勻性

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780051576.2
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN109844637B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: B.J.伯克特;R.巴倫德斯
• 申請（專利權(quán)）人: 谷歌有限責(zé)任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邵亞麗

1.一種制造電路元件的方法，包括：

獲得包括表征至少一個掩模特征的掩模信息的光刻掩模寫入文件；

獲得均勻性函數(shù)，該均勻性函數(shù)被配置為修改表征所述至少一個掩模特征的掩模信息以補償不均勻沉積過程；

將均勻性函數(shù)應(yīng)用于光刻掩模寫入文件以獲得修改的光刻掩模寫入文件；和

按照修改的光刻掩模寫入文件的指示執(zhí)行光刻，

其中獲得所述均勻性函數(shù)包括：得到確定一個或多個沉積參量的集合與沉積參量對沉積產(chǎn)生的影響之間的幾何關(guān)系的一個或多個幾何參數(shù)，從校準(zhǔn)過程得到表征沉積數(shù)據(jù)如何作為一個或多個沉積參量的集合的函數(shù)而變化的經(jīng)驗函數(shù)，或其組合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述均勻性函數(shù)包括(a)徑向分布函數(shù)和(b)線性梯度函數(shù)中的至少一個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一個或多個沉積參量的集合包括：沉積角度、沉積材料、沉積旋轉(zhuǎn)、源至基板距離、頂層抗蝕劑厚度、和沉積束分布中的至少一個。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述沉積數(shù)據(jù)是至少一個沉積結(jié)的電阻分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的方法，其中所述光刻掩模寫入文件包括用于定義掩模中的圖案的幾何和曝光時間指令。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，按照修改的光刻掩模寫入文件的指示執(zhí)行光刻包括在掩模上執(zhí)行光刻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述電路元件是量子計算電路元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述量子計算電路元件包括約瑟夫森結(jié)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，其中應(yīng)用所述均勻性函數(shù)來修改所述光刻掩模寫入文件包括修改在所述光刻掩模寫入文件中指定的幾何特征和停留時間指令的集合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，包括由數(shù)據(jù)處理裝置獲得均勻性函數(shù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，包括：由數(shù)據(jù)處理裝置將均勻性函數(shù)應(yīng)用于光刻掩模寫入文件，以獲得修改的光刻掩模寫入文件。

12.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：

將抗蝕劑層沉積到基板上，其中按照修改的光刻掩模寫入文件的指示包括按照修改的光刻寫入文件的指示在抗蝕劑層上執(zhí)行光刻以制造第一抗蝕劑掩模；

顯影第一抗蝕劑掩模；

以第一沉積角度執(zhí)行通過第一抗蝕劑掩模層的第一沉積；

執(zhí)行第一沉積層的表面氧化；

以第二沉積角度執(zhí)行通過第一抗蝕劑掩模的第二沉積；和

處理第一抗蝕劑掩模和沉積層以剝離第一抗蝕劑掩模和多余的沉積材料以形成電路元件。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的方法，還包括：

將一個或多個抗蝕劑層沉積到基板上，其中按照修改的光刻掩模寫入文件的指示執(zhí)行光刻包括按照修改的光刻寫入文件的指示在一個或多個抗蝕劑層上執(zhí)行光刻以制造一個或多個抗蝕劑掩模；

顯影一個或多個抗蝕劑掩模；

執(zhí)行通過一個或多個抗蝕劑掩模層的一個或多個沉積，所述沉積包括一個或多個沉積參量；和

處理一個或多個抗蝕劑掩模和沉積層以剝離抗蝕劑掩模和多余的沉積材料以形成電路元件。