[發(fā)明專利]使用雙側(cè)硅化的襯底觸點在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780051404.5 | 申請日: | 2017-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN109690756A | 公開(公告)日: | 2019-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | P·W·樓;S·格科特佩里 | 申請(專利權(quán))人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 王茂華;呂世磊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 觸點 集成電路器件 金屬化層 耦合到 直接耦合 襯底 硅化 | ||
1.一種集成電路器件,包括:
前側(cè)觸點,被耦合到前側(cè)金屬化層;以及
第一背側(cè)觸點,被耦合到第一背側(cè)金屬化層,所述前側(cè)觸點直接耦合到所述第一背側(cè)觸點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中所述前側(cè)觸點位于擴散區(qū)域的前側(cè)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中所述第一背側(cè)觸點位于擴散區(qū)域的背側(cè)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,進一步包括:第二背側(cè)觸點,被耦合到第二背側(cè)金屬化層,所述第二背側(cè)觸點直接耦合到所述前側(cè)觸點。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中所述前側(cè)觸點包括前側(cè)硅化物,并且所述第一背側(cè)觸點包括背側(cè)硅化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中所述前側(cè)金屬化層和所述第一背側(cè)金屬化層彼此直接相對。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,其中所述前側(cè)金屬化層和所述第一背側(cè)金屬化層彼此偏移。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件,被集成到RF前端模塊中,所述RF前端模塊被并入到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元、移動電話以及便攜式計算機中的至少一項中。
9.一種構(gòu)造集成電路的方法,包括:
制造由犧牲性襯底上的隔離層支撐的器件;
在所述隔離層上沉積前側(cè)接觸層;
在所述器件上的前側(cè)電介質(zhì)層中制造前側(cè)金屬化層,所述前側(cè)金屬化層被耦合到所述前側(cè)接觸層;
將處理襯底接合到所述器件上的所述前側(cè)電介質(zhì)層;
移除所述犧牲性襯底;
在所述器件的半導(dǎo)體層上沉積背側(cè)接觸層,所述背側(cè)接觸層與所述前側(cè)接觸層接觸;以及
在支撐所述隔離層的背側(cè)電介質(zhì)層中制造背側(cè)金屬化層,所述背側(cè)金屬化層與所述前側(cè)金屬化層遠離地被耦合到所述背側(cè)接觸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中沉積所述背側(cè)接觸層包括:
圖案化所述半導(dǎo)體層以暴露所述隔離層的預(yù)定部分;以及
在經(jīng)圖案化的半導(dǎo)體層內(nèi)和所述隔離層的所暴露的預(yù)定部分上沉積硅化物,以形成所述背側(cè)接觸層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中制造所述背側(cè)金屬化層包括:
在所述背側(cè)接觸層上沉積第一背側(cè)金屬化材料,以形成至少一個背側(cè)金屬化插塞;
在所述至少一個背側(cè)金屬化插塞上沉積第二背側(cè)金屬化材料;以及
在所述半導(dǎo)體層和所述背側(cè)金屬化層上沉積所述背側(cè)電介質(zhì)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中制造所述前側(cè)金屬化層包括:
圖案化所述前側(cè)電介質(zhì)層,以暴露所述前側(cè)接觸層的預(yù)定部分;
在經(jīng)圖案化的前側(cè)電介質(zhì)層內(nèi)和所述前側(cè)接觸層的所暴露的預(yù)定部分上沉積第一前側(cè)金屬化材料,以形成至少一個前側(cè)金屬化插塞;以及
在所述至少一個前側(cè)金屬化插塞上沉積第二前側(cè)金屬化材料,以形成所述前側(cè)金屬化層。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中接合所述處理襯底進一步包括:
在所述前側(cè)電介質(zhì)層上沉積陷阱富集層;以及
將所述處理襯底接合到所述陷阱富集層。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,進一步包括將所述集成電路集成到RF前端模塊中,所述RF前端模塊被并入到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元、移動電話以及便攜式計算機中的至少一項中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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