[發(fā)明專利]類晶片襯底加工方法、設(shè)備及其用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780051326.9 | 申請日: | 2017-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN109642340B | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R·榮恩伯斯奇;T·布塞紐斯;D·布赫貝格爾;R·維恩豪 | 申請(專利權(quán))人: | 德國艾托特克公司 |
| 主分類號: | C25D17/00 | 分類號: | C25D17/00;C25D17/06;H01L21/677;H01L21/683;C25F1/00;C23C18/16;C23F1/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 襯底 加工 方法 設(shè)備 及其 用途 | ||
1.一種用于加工類晶片襯底的方法,其包括下列步驟:
i)在裝載裝置(1)中提供所述襯底;
ii)使用非接觸式夾持器(3)或接觸式夾持器(4)將所述襯底從所述裝載裝置(1)運(yùn)輸?shù)綄?zhǔn)裝置(2);
iii)在所述對準(zhǔn)裝置(2)中對準(zhǔn)所述襯底;
iv)使用接觸式夾持器(4)將所述經(jīng)對準(zhǔn)襯底運(yùn)輸?shù)竭B接裝置(5),其中所述連接裝置(5)提供襯底固持器;
v)將所述經(jīng)對準(zhǔn)襯底緊固于所述連接裝置(5)中的所述襯底固持器中;
vi)使用接觸式夾持器將包括所述經(jīng)對準(zhǔn)襯底的所述襯底固持器進(jìn)一步運(yùn)輸?shù)教幚硌b置;
vii)在所述處理裝置中處理仍緊固于所述相應(yīng)襯底固持器中的所述襯底;
viii)將包括所述經(jīng)處理襯底的所述襯底固持器運(yùn)輸?shù)剿鲞B接裝置(5),其中從所述相應(yīng)襯底固持器解開所述經(jīng)處理襯底;
ix)使用接觸式夾持器(4)將所述經(jīng)處理襯底進(jìn)一步運(yùn)輸?shù)胶筇幚硌b置(6);
x)在所述后處理裝置(6)中后處理所述襯底;
xi)使用非接觸式夾持器(3)將所述經(jīng)后處理襯底從所述后處理裝置(6)運(yùn)輸?shù)絻Υ嫜b置或使用非接觸式夾持器(3)將其運(yùn)回到所述裝載裝置(1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中在用于濕處理的所述處理裝置中處理所述襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述接觸式夾持器(4)是使用真空吸取的夾持器且所述非接觸式夾持器(3)是伯努利型夾持器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述襯底的所述對準(zhǔn)導(dǎo)致用于所述處理裝置中的后續(xù)處理的經(jīng)精確對準(zhǔn)襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述襯底包括擬處理的至少一個(gè)表面且所述接觸式夾持器(4)或所述非接觸式夾持器(3)可在運(yùn)輸期間在擬處理的所述表面上抓緊所述襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中使用機(jī)械臂,且步驟ii)、iv)、ix)及xi)的所述接觸式夾持器(4)或非接觸式夾持器(3)經(jīng)可逆地附接到所述機(jī)械臂(7)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中步驟vii)的所述襯底的所述處理是處理所述襯底的兩個(gè)表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述后處理包含:干燥所述襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述襯底是提供類框架結(jié)構(gòu)的晶片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述裝載裝置(1)包括可儲存至少一個(gè)襯底的匣。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中步驟iv)及ix)中所使用的所述接觸式夾持器是雙面夾持器,其可在所述雙面夾持器的每一面上運(yùn)輸襯底。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述濕處理為a)化學(xué)或電解金屬沉積、b)化學(xué)或電解蝕刻,及/或c)化學(xué)或電解清洗。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于加工類晶片襯底的方法,其中所述濕處理為電解金屬沉積、化學(xué)蝕刻及/或化學(xué)清洗。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于德國艾托特克公司,未經(jīng)德國艾托特克公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780051326.9/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





