[發(fā)明專利]磁場耦合元件、天線裝置以及電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780051083.9
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN109643837B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 三川賢太郎;石塚健一;那須貴文
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18;H01Q1/24;H01Q5/335;H01Q5/378
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

本發(fā)明涉及磁場耦合元件、具備其的天線裝置以及電子設備.磁場耦合元件具有：被配置于隔著絕緣層而層疊的多個層的多個導體圖案、和將這些多個導體圖案的規(guī)定位置彼此層間連接的多個層間連接導體。所述多個導體圖案包含第1導體圖案(L11)、第2導體圖案(L12)、第3導體圖案(L21)以及第4導體圖案(L22)，所述多個層間連接導體包含第1層間連接導體(V1)和第2層間連接導體(V2)。由第1導體圖案(L11)、第2導體圖案(L12)以及第1層間連接導體(V1)構(gòu)成第1線圈，由第3導體圖案(L21)、第4導體圖案(L22)以及第2層間連接導體(V2)構(gòu)成第2線圈。第1線圈以及第2線圈形成于小于由多個絕緣層構(gòu)成的層疊體的層疊高度的1/3的區(qū)域。

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及用于高頻電路的磁場耦合元件、具備其的天線裝置以及電子設備。

背景技術(shù)

為了使頻帶寬頻帶化，或者為了對應多個頻帶，使用具備直接或者間接地耦合的2個輻射元件的天線裝置。此外，專利文獻1中表示了一種天線裝置，其具備：2個輻射元件、和對針對該2個輻射元件的供電進行控制的耦合度調(diào)整電路。

圖51是表示專利文獻1所述的將耦合度調(diào)整電路構(gòu)成于多層基板的情況下的各層的導體圖案的例子的圖。各層由電介質(zhì)片材或者磁性體片材構(gòu)成，在基材層51a～51f形成導體圖案。在圖51所示的范圍內(nèi)，在基材層51a形成導體圖案74。在基材層51b形成導體圖案72，在基材層51c 形成導體圖案71、73。在基材層51d形成導體圖案61、63，在基材層51e 形成導體圖案62，在基材層51f的下表面分別形成供電端子81、接地端子 83、第1輻射元件的連接端口即天線端子82以及第2輻射元件的連接端口即天線端子84。在多個基材層51a～51f之中的規(guī)定位置，形成由縱向延伸的虛線表示的層間連接導體。通過導體圖案72的右半部分和導體圖案71來構(gòu)成線圈元件L1a。此外，通過導體圖案72的左半部分和導體圖案73來構(gòu)成線圈元件L1b。此外，通過導體圖案61和導體圖案62的右半部分來構(gòu)成線圈元件L2a。此外，通過導體圖案62的左半部分和導體圖案63來構(gòu)成線圈元件L2b。

如以上那樣，耦合度調(diào)整電路由變壓器構(gòu)成，該變壓器是基于線圈元件L1a、L1b的初級線圈(第1線圈)與基于線圈元件L2a、L2b的次級線圈(第2線圈)耦合而成的。

在先技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2012/153690號

專利文獻1所示的天線裝置的第1輻射元件和第2輻射元件經(jīng)由變壓器而耦合，通過該耦合的設定，取得供電電路與天線裝置的匹配。根據(jù)該專利文獻1所示的天線裝置，由于也可以不使第1輻射元件與第2輻射元件并排，因此其圖案的設計上的自由度較高。此外，由于即使使第1輻射元件與第2輻射元件更加接近，也能夠規(guī)定為規(guī)定的耦合度，因此供電電路與多諧振天線的匹配變得容易。

但是，由于通過變壓器所具有的電感(初級電感、次級電感以及漏電感)，在輻射元件產(chǎn)生的電流分布發(fā)生變化，因此若變壓器的電感成分較大則輻射元件的輻射特性可能劣化。另一方面，若為了減少變壓器的電感成分而減少第1線圈以及第2線圈的匝數(shù)，則兩線圈間的耦合系數(shù)降低，不能得到作為耦合度調(diào)整電路的充分的作用。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種電感成分較小并且第1線圈與第2線圈的耦合系數(shù)較高的磁場耦合元件、具備其的天線裝置以及電子設備。

(1)本發(fā)明的磁場耦合元件具有：

被配置于隔著絕緣層而層疊的多個層的多個導體圖案、和將所述多個導體圖案的規(guī)定位置彼此層間連接的多個層間連接導體，

所述多個導體圖案包含在所述層疊的方向的按順序分別被配置于不同的層的第1導體圖案、第2導體圖案、第3導體圖案以及第4導體圖案，