[發明專利]磁場耦合元件、天線裝置以及電子設備有效
| 申請號: | 201780051083.9 | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN109643837B | 公開(公告)日: | 2021-09-10 |
| 發明(設計)人: | 三川賢太郎;石塚健一;那須貴文 | 申請(專利權)人: | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號: | H01P5/18 | 分類號: | H01P5/18;H01Q1/24;H01Q5/335;H01Q5/378 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 趙琳琳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁場 耦合 元件 天線 裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種磁場耦合元件,具有:
被配置于隔著絕緣層而層疊的多個層的多個導體圖案;和
將所述多個導體圖案的規定位置彼此層間連接的多個層間連接導體,
所述多個導體圖案包含在所述層疊的方向的按順序分別被配置于不同的層的第1導體圖案、第2導體圖案、第3導體圖案以及第4導體圖案,
所述多個層間連接導體包含:將所述第1導體圖案與所述第2導體圖案層間連接的第1層間連接導體、和將所述第3導體圖案與所述第4導體圖案層間連接的第2層間連接導體,
由所述第1導體圖案、所述第2導體圖案以及所述第1層間連接導體構成第1線圈,
由所述第3導體圖案、所述第4導體圖案以及所述第2層間連接導體構成第2線圈,
在所述層疊的方向,所述第1線圈以及所述第2線圈形成于小于由多個所述絕緣層構成的層疊體的層疊高度的1/3的區域,
在所述磁場耦合元件內僅形成有所述第1線圈以及所述第2線圈。
2.根據權利要求1所述的磁場耦合元件,其中,
所述第2導體圖案與所述第3導體圖案的耦合方向、和所述第1層間連接導體與所述第2層間連接導體的耦合方向相同。
3.根據權利要求1或2所述的磁場耦合元件,其中,
所述第1層間連接導體與所述第2層間連接導體在所述絕緣層的俯視下重疊。
4.根據權利要求1或2所述的磁場耦合元件,其中,
所述第1層間連接導體與所述第2層間連接導體隔著多個所述絕緣層之中單一的絕緣層而被配置在所述層疊的方向。
5.根據權利要求1或2所述的磁場耦合元件,其中,
所述第1導體圖案以及所述第4導體圖案相比于所述第2導體圖案以及所述第3導體圖案,匝數較少。
6.根據權利要求1或2所述的磁場耦合元件,其中,
所述第2導體圖案與所述第3導體圖案的至少一個具有在所述層疊的方向相面對并局部形成電容的電容形成用導體圖案。
7.根據權利要求6所述的磁場耦合元件,其中,
所述第2導體圖案或者所述第3導體圖案之中的一個導體圖案具有達到所述絕緣層的端部的引出導體圖案,另一個導體圖案具有與所述引出導體圖案對置的電容形成用導體圖案。
8.根據權利要求1或2所述的磁場耦合元件,其中,
由多個所述絕緣層構成長方體狀的層疊體,
所述磁場耦合元件具備:所述層疊體的第1面、和與該第1面相反的一側的面即第2面,
與所述第1線圈的第1端連結的端子、與所述第1線圈的第2端連結的端子、與所述第2線圈的第1端連結的端子以及與所述第2線圈的第2端連結的端子分別形成于所述第1面以及所述第2面。
9.一種天線裝置,具備:
權利要求1至8的任一項所述的磁場耦合元件;
與所述第1線圈的第1端連接的輻射元件;和
與所述第2線圈的第1端連接的無供電諧振電路,
所述第1線圈的第2端是供電電路連接部,
所述第2線圈的第2端與接地連接。
10.根據權利要求9所述的天線裝置,其中,
從所述第1線圈的第2端向第1端的卷繞方向、和從所述第2線圈的第1端向第2端的卷繞方向相反。
11.根據權利要求9或10所述的天線裝置,其中,
還具備被連接在所述供電電路連接部與所述第1線圈之間的具有頻率依賴性的移相器。
12.根據權利要求9或10所述的天線裝置,其中,
所述第2線圈的與連接所述無供電諧振電路的第1端子相反的一側的第2端子連接于所述接地,
所述第1線圈與供電電路之間的線路的長度、以及所述第2線圈的所述第2端子與所述接地之間的線路的長度小于諧振頻率的1/8波長。
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