[發明專利]層疊體、電子設備的制造方法、層疊體的制造方法有效
| 申請號： | 201780050408.1 | 申請日： | 2017-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN109641419B | 公開（公告）日： | 2021-07-27 |
| 發明（設計）人： | 宮越達三;藤原晃男 | 申請（專利權）人： | AGC株式會社 |
| 主分類號： | B32B7/02 | 分類號： | B32B7/02;B32B9/00;B32B7/022;B32B7/023;B32B33/00;G02B1/10;G02B1/113 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 李書慧;趙青 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 層疊 電子設備 制造 方法 | ||
1.一種層疊體，依次具備支撐基材、密合層和基板，
所述基板在密合層側的表面上具備交替層疊折射率不同的2種以上的電介質層而成的電介質多層膜，帶電介質多層膜的基板配置在密合層上之前的所述基板的SORI為130μm以上，
具備所述電介質多層膜的所述基板以所述電介質多層膜可剝離地與所述密合層密合的方式配置在所述密合層上。
2.根據權利要求1所述的層疊體，其中，所述電介質多層膜的最表面的電介質層為含有Si原子的膜。
3.根據權利要求1或2所述的層疊體，其中，所述電介質多層膜的最表面的電介質層為SiO2。
4.根據權利要求1或2所述的層疊體，其中，所述電介質多層膜為防反射膜。
5.根據權利要求1或2所述的層疊體，其中，所述電介質多層膜的厚度為0.001～5μm。
6.根據權利要求1或2所述的層疊體，其中，所述電介質多層膜以在所述基板表面上殘留未配置所述電介質多層膜的周緣區域的方式配置在所述基板的表面上，
在所述周緣區域，存在寬度為0.1～20mm的范圍的區域。
7.根據權利要求1或2所述的層疊體，其中，所述電介質多層膜以在所述基板表面上殘留未配置所述電介質多層膜的周緣區域的方式配置在所述基板的表面上，
在所述周緣區域，存在寬度為0.01mm以下的范圍的區域。
8.一種層疊體，依次具備支撐基材、密合層和基板，
所述基板可剝離地密合配置在所述密合層上，
在所述密合層上配置之前的所述基板的SORI為130μm以上。
9.根據權利要求8所述的層疊體，其中，與所述密合層相接的一側的所述基板的表面由含有Si原子的膜被覆。
10.根據權利要求9所述的層疊體，其中，所述含有Si原子的膜為氧化硅的蒸鍍膜、氧化硅的濺射膜或有機硅樹脂膜。
11.根據權利要求1或8所述的層疊體，其中，所述密合層為含有有機硅樹脂的層。
12.根據權利要求1或8所述的層疊體，其中，所述基板的主面的面積為300cm2以上。
13.根據權利要求1或8所述的層疊體，其中，層疊體的SORI為20～120μm。
14.根據權利要求1或8所述的層疊體，其中，所述基板為玻璃基板。
15.一種電子設備的制造方法，具備如下工序：
構件形成工序，在權利要求1所述的層疊體的所述基板的與所述密合層相反一側的表面上形成電子設備用構件，得到帶電子設備用構件的層疊體；和
分離工序，從所述帶電子設備用構件的層疊體除去所述支撐基材和所述密合層，得到具有所述帶電介質多層膜的基板和所述電子設備用構件的電子設備。
16.一種電子設備的制造方法，具備如下工序：
構件形成工序，在權利要求8所述的層疊體的所述基板的與所述密合層相反一側的表面上形成電子設備用構件，得到帶電子設備用構件的層疊體；和
分離工序，從所述帶電子設備用構件的層疊體除去所述支撐基材和所述密合層，得到具有所述基板和所述電子設備用構件的電子設備。
17.根據權利要求15或16所述的電子設備的制造方法，其中，所述基板為玻璃基板。
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