[發明專利]利用背面硅化形成雙面接觸電容器

在審

• 申請號: 201780049975.5
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109690788A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: S·格科特佩里;P·V·科勒夫;M·A·斯圖貝;R·哈蒙德;古仕群;S·費恩利
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L27/12;H01L29/66
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;崔卿虎

一種集成電路結構可以包括電容器，該電容器具有作為第一板的半導體層和作為第二板的柵極層。電容器電介質層可以分離第一板和第二板。背面金屬化部可以耦合到電容器的第一板。正面金屬化部可以耦合到電容器的第二板。正面金屬化部可以布置在距背面金屬化部的遠端。

技術領域

本公開一般地涉及集成電路(IC)。更具體地，本公開涉及用于形成雙面接觸電容器的背面硅化的方法和裝置。

背景技術

由于成本和功耗考慮，包括高性能雙工器的移動射頻(RF)芯片設計(例如，移動RF收發器)已經遷移到深亞微米工藝節點。這種移動RF收發器的設計在這個深亞微米工藝節點處變得復雜。這些移動RF收發器的設計復雜性通過增加用于支持諸如載波聚合等通信增強的電路功能而進一步復雜化。移動RF收發器的進一步設計挑戰包括模擬/RF性能考慮因素，包括失配、噪聲和其他性能因素。這些移動RF收發器的設計包括使用附加的無源器件例如以抑制諧振以及/或者執行濾波、旁路和耦合。

玻璃上無源器件涉及高性能電感器和電容器部件，這些部件具有優于諸如通常用于制造移動射頻(RF)芯片設計的表面安裝技術或多層陶瓷芯片等其他技術的各種優點。由于成本和功耗考慮，通過遷移到深亞微米工藝節點而使得移動RF收發器的設計復雜性變得復雜。間距考慮因素也會影響移動RF收發器設計的深亞微米工藝節點，諸如大電容器，這可能會在RF芯片設計的設計集成過程中造成性能瓶頸。例如，金屬氧化物半導體(MOS)電容器可以用于RF應用中以提供增加的電容密度。不幸的是，在先進互補MOS(CMOS)工藝中使用的MOS電容器可能占據大面積以實現指定的電容密度。

發明內容

一種集成電路結構可以包括電容器，該電容器具有作為第一板的半導體層和作為第二板的柵極層。電容器電介質層可以分離第一板和第二板。背面金屬化部可以耦合到電容器的第一板，并且正面金屬化部可以耦合到電容器的第二板。正面金屬化部可以遠離背面金屬化部而被布置。

一種構造集成電路結構的方法可以包括制造由隔離層支撐并且設置在犧牲襯底上的器件。該方法可以進一步包括在器件的柵極層上沉積正面接觸層。正面電介質層中的正面金屬化部可以被制造在器件上并且耦合到正面接觸層。處理襯底可以接合到器件上的正面電介質層。該方法可以進一步包括去除犧牲襯底。背面接觸層可以沉積在器件的半導體層上。背面金屬化部可以被制造在支撐隔離層的背面電介質層中。背面金屬化部可以耦合到背面接觸層并且可以遠離正面金屬化部而被布置。

一種集成電路結構可以包括用于存儲電荷的裝置。用于存儲電荷的裝置可以由隔離層和背面電介質層支撐。背面金屬化部可以布置在背面電介質層中，并且可以耦合到電荷存儲裝置。正面金屬化部可以布置在電荷存儲裝置上的正面電介質層中。正面金屬化部可以耦合到電荷存儲裝置。正面金屬化部可以遠離背面金屬化部而被布置。

一種射頻(RF)前端模塊可以包括集成射頻(RF)電路結構，RF電路結構具有包括作為第一板的半導體層和作為第二板的柵極層的電容器。半導體層和柵極層可以由電容器電介質層分離。背面金屬化部可以耦合到電容器的第一板，并且正面金屬化部可以耦合到電容器的第二板。正面金屬化部可以遠離背面金屬化部而被布置。開關晶體管可以耦合到電容器。天線可以耦合到開關晶體管的輸出。

這已經相當廣泛地概述了本公開的特征和技術優點，以便可以更好地理解隨后的詳細描述。下面將描述本公開的附加特征和優點。本領域技術人員應當理解，本公開可以容易地用作修改或設計用于實現本公開的相同目的的其他結構的基礎。本領域技術人員還應當認識到，這種等效構造不脫離所附權利要求中闡述的本公開的教導。當結合附圖考慮時，從以下描述將更好地理解被認為是關于其組織和操作方法的本公開的特征的新穎特征以及其他目的和優點。然而，應當清楚地理解，提供每個附圖僅用于說明和描述的目的，并且不旨在作為本公開的范圍的定義。

附圖說明

為了更完整地理解本公開，現在參考結合附圖給出的以下描述。