[發明專利]利用背面硅化形成雙面接觸電容器

在審

• 申請號: 201780049975.5
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN109690788A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: S·格科特佩里;P·V·科勒夫;M·A·斯圖貝;R·哈蒙德;古仕群;S·費恩利
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L29/94
• 分類號: H01L29/94;H01L27/12;H01L29/66
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;崔卿虎

1.一種集成電路結構，包括：

電容器，包括作為第一板的半導體層和作為第二板的柵極層，所述半導體層和所述柵極層由電容器電介質層分離；

背面金屬化部，耦合到所述電容器的所述第一板；以及

正面金屬化部，耦合到所述電容器的所述第二板，其中所述正面金屬化部布置在距所述背面金屬化部的遠端。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中所述背面金屬化部包括布置在背面電介質層中的層轉移后金屬化層。

3.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中所述正面金屬化部位于正面電介質層內并且靠近所述電容器的所述柵極層。

4.根據權利要求1所述的集成電路結構，進一步包括背面硅化物層，所述背面金屬化部通過所述背面硅化物層耦合到所述電容器的所述第一板。

5.根據權利要求1所述的集成電路結構，進一步包括正面硅化物層，所述正面金屬化部通過所述正面硅化物層耦合到所述電容器的所述第二板。

6.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中所述電容器電介質層包括高K電介質，并且所述半導體層包括絕緣體上硅(SOI)層。

7.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中所述正面金屬化部和所述背面金屬化部彼此正對地布置。

8.根據權利要求1所述的集成電路結構，被集成到RF前端模塊中，所述RF前端模塊被包含到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機中的至少一個中。

9.一種構造集成電路結構的方法，包括：

制造由隔離層支撐并且設置在犧牲襯底上的器件；

在所述器件的柵極層上沉積正面接觸層；

制造在所述器件上的正面電介質層中并且耦合到所述正面接觸層的正面金屬化部；

將處理襯底接合到所述器件上的所述正面電介質層；

去除所述犧牲襯底；

在所述器件的半導體層上沉積背面接觸層；以及

在支撐所述隔離層的背面電介質層中制造背面金屬化部，所述背面金屬化部耦合到所述背面接觸層并且布置在距所述正面金屬化部的遠端。

10.根據權利要求9所述的方法，其中制造所述背面金屬化部包括：

根據所述器件的所述半導體層來圖案化所述隔離層，以暴露所述背面接觸層的預定部分；

在圖案化的所述隔離層內并且在所述背面接觸層的暴露的所述預定部分上沉積背面金屬化材料，以形成所述背面金屬化部；以及

在所述隔離層和所述背面金屬化部上沉積所述背面電介質層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中沉積所述背面金屬化材料包括：

在所述背面接觸層的暴露的所述預定部分上沉積第一背面金屬化材料，以形成多個背面金屬化插塞；以及

在所述多個背面金屬化插塞上沉積第二背面金屬化材料。

12.根據權利要求9所述的方法，其中制造所述正面金屬化部包括：

根據所述器件的所述柵極層來圖案化所述正面電介質層，以暴露所述背面接觸層的預定部分；

在圖案化的所述正面電介質層內并且在所述背面接觸層的暴露的所述預定部分上沉積第一背面金屬化材料，以形成多個正面金屬化插塞；以及

在所述多個正面金屬化插塞上沉積第二正面金屬化材料，以形成所述背面金屬化部。

13.根據權利要求9所述的方法，其中接合所述處理襯底進一步包括：

在所述正面電介質層上沉積富陷阱層；以及

將所述處理襯底接合到所述富陷阱層。