[發明專利]用于提高半導體制造產率的方法

有效

• 申請號: 201780049949.2
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN109643106B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 方偉
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G05B19/418
• 分類號: G05B19/418
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

本公開的實施例提供了用于提高半導體制造產率的系統和方法。本公開的實施例提供了一種產率提高系統。該系統包括訓練工具，該訓練工具被配置為基于第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果的接收而生成訓練數據。該系統還包括點確定工具，該點確定工具被配置為基于訓練數據、第二襯底的弱點信息、以及用于第二襯底的掃描器的曝光方案，確定第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

相關申請的交叉參考

本申請要求于2016年8月15日遞交的美國申請62/375,257和于2017年8月9日遞交的美國申請62/543,242的優先權，它們通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開一般地涉及半導體制造領域，更具體地涉及用于提高半導體制造產率的系統和方法。

背景技術

在集成電路(IC)的制造工藝中，檢查未完成或完成的電路組件以確保它們是根據設計制造的并且沒有缺陷。利用光學顯微鏡的檢查系統可以提供高吞吐量，但是一般具有低至數百納米的分辨率；并且分辨率受到光的波長的限制。隨著IC組件的物理尺寸繼續減小低至亞100甚至10納米，需要比利用光學顯微鏡的檢查系統更高分辨率的檢查系統。

諸如掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)之類的具有低至納米以下分辨率的帶電粒子(例如，電子)束顯微鏡用作檢查具有亞100納米的特征尺寸的IC組件的實用工具。利用SEM，可以將單個主電子束的電子或多個主電子束的電子聚焦到所檢查的晶片的探測點。原始電子與晶片的相互作用會產生一個或多個次級電子束。次級電子束可以包括由原始電子與晶片的相互作用產生的俄歇電子、次級電子、或背散射電子。一個或多個次級電子束的強度可以基于晶片的內部和/或外部結構的特性改變。但是，高分辨率的帶電粒子束顯微鏡的吞吐量相比較低分辨率的光學顯微鏡顯著降低。

不同的半導體制造工藝，例如，光阻涂覆、曝光、顯影、蝕刻、和光阻去除(清洗)可以是成批工藝。成批工藝會導致成批的多個襯底(本文也稱為晶片)的圖案化不均勻。另外，如果在完成整個圖案化工藝之后進行經過圖案化的襯底的缺陷檢查，有缺陷的晶片可能會被廢棄或者可能會被轉換為降級產品。這會導致半導體制造產率顯著下降。

發明內容

本公開實施例提供了用于提高半導體制造產率的系統和方法。在一些實施例中，提供了一種產率提高系統。該系統包括訓練工具，該訓練工具被配置為基于第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果的接收而生成訓練數據。該系統還包括點確定工具，該點確定工具被配置為基于訓練數據、第二襯底的弱點信息、以及用于第二襯底的掃描器的曝光方案，確定第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

在一些實施例中，提供了一種產率提高方法。該方法包括：接收第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果；以及基于接收到的經驗證的結果生成訓練數據。該方法還包括：基于訓練數據、第二襯底的弱點信息、以及用于第二襯底的掃描器的曝光方案，確定第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

在一些實施例中，提供了一種非瞬態計算機可讀存儲介質。該介質存儲有可由包括一個或多個處理器的計算設備執行的指令，所述指令使得計算設備執行產率提高方法。該方法包括：接收第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果；以及基于接收到的經驗證的結果生成訓練數據。該方法還包括：基于訓練數據、第二襯底的弱點信息、以及用于第二襯底的掃描器的曝光方案，確定第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

所公開的實施例的附加目的和優點將部分在下面的描述中闡述，并且部分從本說明書變得顯而易見，或者可以通過實施實施例習得。所公開的實施例的目的和優點可以由權利要求中給出的元件和組合達到和實現。

將理解的是，前面的總體描述和下面的詳細描述只是示例性和說明性的，而不用于限制所公開的實施例(如請求保護)。

附圖說明

圖1是示出根據本公開的一些實施例的示例性電子束檢查系統的示意圖。