[發明專利]用于提高半導體制造產率的方法

有效

• 申請號: 201780049949.2
• 申請日: 2017-08-14
• 公開（公告）號: CN109643106B
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 方偉
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G05B19/418
• 分類號: G05B19/418
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種產率提高系統，包括：

訓練工具，被配置為基于第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果的接收生成訓練數據；以及

點確定工具，被配置為基于所述訓練數據、第二襯底的弱點信息以及用于所述第二襯底的掃描器的曝光方案，確定所述第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

2.根據權利要求1所述的系統，其中，所述訓練工具被配置為使用深度神經網絡分析所述一個或多個經驗證的結果，以用于生成所述訓練數據。

3.根據權利要求1所述的系統，其中，所述訓練工具進一步被配置為基于所述曝光方案生成所述訓練數據，和/或其中所述曝光方案包括高密度焦點圖。

4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述一個或多個經驗證的結果由驗證單元基于所述第一襯底的一個或多個監視結果與一個或多個設計參數的比較生成，和/或其中所述一個或多個監視結果由監視工具基于空間圖案確定、圖案尺寸測量和圖案偏移測量中的至少一個生成，和/或其中所述曝光方案基于所述一個或多個監視結果確定。

5.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一襯底和所述第二襯底由掃描器、顯影工具、蝕刻工具以及灰化工具處理。

6.一種用于提高半導體制造產率的方法，所述方法包括：

接收第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果；

基于接收到的經驗證的結果生成訓練數據；以及

基于所述訓練數據、第二襯底的弱點信息以及用于所述第二襯底的掃描器的曝光方案，確定所述第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，生成所述訓練數據包括：使用深度神經網絡分析所述一個或多個經驗證的結果。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，生成所述訓練數據是進一步基于所述曝光方案的。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述經驗證的結果由驗證單元基于所述第一襯底的一個或多個監視結果與一個或多個設計參數的比較生成，和/或其中所述一個或多個監視結果由監視工具基于空間圖案確定、圖案尺寸測量和圖案偏移測量結果中的至少一個生成，和/或其中所述曝光方案基于所述一個或多個監視結果確定。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述曝光方案包括高密度焦點圖。

11.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一襯底和所述第二襯底由掃描器、顯影工具、蝕刻工具以及灰化工具處理。

12.一種存儲指令的非瞬態計算機可讀存儲介質，所述指令能夠由包括一個或多個處理器的計算設備執行，以使得所述計算設備執行包括以下項的方法：

接收第一襯底的檢查的一個或多個經驗證的結果；

基于接收到的經驗證的結果生成訓練數據；

基于所述訓練數據、第二襯底的弱點信息以及用于所述第二襯底的掃描器的曝光方案，確定所述第二襯底上待檢查的一個或多個區域。

13.根據權利要求12所述的介質，其中，生成所述訓練數據包括：使用深度神經網絡分析所述一個或多個經驗證的結果，和/或其中生成所述訓練數據是進一步基于所述曝光方案的，和/或其中所述曝光方案基于一個或多個監視結果確定，和/或其中所述曝光方案包括高密度焦點圖。

14.根據權利要求12所述的介質，其中，所述經驗證的結果由驗證單元基于所述第一襯底的一個或多個監視結果與一個或多個設計參數的比較生成，和/或其中所述一個或多個監視結果由監視工具基于空間圖案確定、圖案尺寸測量和圖案偏移測量中的至少一個生成。

15.根據權利要求12所述的介質，其中，所述第一襯底和所述第二襯底由掃描器、顯影工具、蝕刻工具以及灰化工具處理。