[發明專利]具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件及其制造方法

有效

• 申請號: 201780049906.4
• 申請日: 2017-08-18
• 公開（公告）號: CN109564933B
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 金楨一
• 申請（專利權）人: 韓國東海炭素株式會社
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/205
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋融冰

根據本發明的一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其包括：兩個以上被疊層的層，且所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。

技術領域

本發明涉及在干式蝕刻工程中，為了利用晶片等基板制造半導體元件的SiC半導體制造用部件及其制造方法，更詳細地，涉及具有透射率不同的多個層的SiC半導體層的SiC半導體制造用部件及其制造方法。

技術背景

通常，使用在半導體制造工程的等離子體處理技術作為干式蝕刻工程中的一個，是使用氣體蝕刻對象的方法。這將蝕刻氣體注入到反應容器內并電離之后，加速至晶片表面，隨著以物理性、化學性去除晶片表面的工程。此方法便于蝕刻的調整，且生產性高，并且可進行數十nm水準的微細圖案形成，而被廣泛使用。

為了在等離子體蝕刻的均勻地蝕刻，可要被考慮的參數(parameter)是要蝕刻層的厚度和密度、蝕刻氣體的能量及溫度、光刻膠的粘合性和晶片表面的狀態及蝕刻氣體的均勻性等。特別地，電離蝕刻氣體，將電離的蝕刻氣體加速至晶片表面，成為執行蝕刻原動力的無線電頻率(RF；Radio frequency)調整，可成為重要的參數，且在實際蝕刻過程中，被考慮為可直接并便于調整的參數。

但是，實際以在干式蝕刻裝置內形成蝕刻的晶片為基準時，使晶片表面整體具有均勻的能量分布，而挑選的無線電頻率的適用是必須的，且適用這些無線電頻率時，適用均勻的能量分布不能只由無線電頻率的輸出調整來達到，并且，為了解決此，其被用于將無線電頻率施加在晶片的無線電頻率電極的階段和陽極形態及實質上做固定晶片功能的聚焦環在內的半導體制造用部件，大大地左右。

包括干式蝕刻裝置內的聚焦環在內的多種半導體制造用部件，在存在等離子體的惡劣條件反應容器內，執行在形成蝕刻處理的晶片周圍，集中等離子體的作用，且部件自身也暴露在等離子體受到損傷。因此，持續地執行用于增加半導體制造用部件的抗等離子體特性的研究。作為其中之一，具有更換Si材質，制造SiC材質的聚焦環或電極等部件方法的研究。

現有技術為了工程效率及均勻地沉積，使用了將多個噴射導入口構成在室，且同時使用所述導入口制造Sic半導體制造用部件的方式。

圖1是同時使用多個原料氣體噴射導入口，制造的Sic半導體制造用部件中一個的斷面圖。在室內原料氣體沉積在母材上，最終形成如圖1的SiC半導體制造用部件200。

圖2是對現有方式制造的SiC半導體制造用部件的掃描式電子顯微鏡SEM分析照片。由明亮色顯示的屬于SiC異常組織的結晶結構。可確認異常組織在SiC沉積過程成長為圓錐形。由現有方式制造的SiC半導體制造用部件，可由這些組織的成長降低產品的質量。

此外，即使將Si更換為SiC材質，經過一定時間被暴露在等離子體并被磨損，具有仍需要周期性更換的問題。此外，被更換的部件被更換后，全部被廢棄處理。這成為增加半導體產品生產費用的主要原因中的一個。

發明內容

技術課題

本發明作為解決如上述的所有問題，本發明抑制SiC半導體制造用部件的非正常結晶的成長，誘導從原料氣體噴射導入口的均勻地沉積，可提供質量優秀的SiC半導體制造用部件。此外，本發明作為一個示例，減少如被更換的聚焦環，以消耗性SiC半導體制造用部件的廢棄發生的產業廢棄物，貢獻于環境衛生，且可減少最終半導體部件的生產費用。

但是，本發明所要解決的課題不限定于以上提及的課題，且未提及的其他課題，從以下記載可明確地被所屬領域技術人員理解。

技術方案

根據本發明的一個實施例，提供具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其包括：兩個以上被疊層的層，且所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值。