[發(fā)明專利]具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780049906.4 | 申請日： | 2017-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN109564933B | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 金楨一 | 申請（專利權(quán)）人： | 韓國東海炭素株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/24 | 分類號： | H01L29/24;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 透射率 不同 多個層 sic 半導體 制造 部件 及其 方法 | ||
1.一種具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其包括：
兩個以上被疊層的層，且
所述被疊層的層的各層包括SiC，與相鄰的其他層具有不同的透射率值，
在所述被疊層的層的各層邊界，色逐漸變化，
其中所述兩個以上被疊層的層是利用不同位置的不同導入口群層疊的，且
其中在層疊所述兩個以上被疊層的層的過程中溫度保持不變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其中，所述被疊層的層的各層組成相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其中，所述被疊層的層，被疊層在石墨母材上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其中，在所述被疊層的層的各層邊界，包括一個以上的非正常結(jié)晶的成長斷絕。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其中，所述半導體制造用部件作為等離子體處理裝置部件，包括由環(huán)、電極單元及連接器形成的群中被選擇的至少任何一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任何一個所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，還包括：
再生單元，包括形成在所述被疊層的層的至少一部分上的SiC。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件，其中，包括所述SiC的再生單元及與所述再生單元相鄰的被疊層的層間色不同。
8.一種在具備多個原料氣體噴射導入口的化學氣相沉積室內(nèi)，如權(quán)利要求1所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件的制造方法，其步驟包括：
使用包括在所述多個原料氣體噴射導入口中一部分的第一導入口群，疊層包括SiC的第一層；及
使用包括所述多個原料氣體噴射導入口中其他一部分的第二導入口群，疊層包括SiC的第二層，
其中，在所述化學氣相沉積室內(nèi)，各個導入口群的位置不同，且
在沉積所述第一層和所述第二層的過程中溫度保持不變。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件的制造方法，其步驟還包括：
疊層所述第二層的步驟之后，使用第三導入口群，疊層包括SiC的第三層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件的制造方法，其中，在疊層各層的步驟之間，維持在化學氣相沉積室內(nèi)的所述SiC半導體制造用部件。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件的制造方法，其中，執(zhí)行疊層各層步驟的時間不同。
12.一種在具備多個原料氣體噴射導入口的化學氣相沉積室內(nèi)，具有透射率不同的多個層的SiC半導體制造用部件的制造方法，其步驟包括：
使用包括在所述多個原料氣體噴射導入口中一部分的第一導入口群，疊層包括SiC的第一層；及
使用包括所述多個原料氣體噴射導入口中其他一部分的第二導入口群，疊層包括SiC的第二層，
其步驟還包括：
在干式蝕刻裝置，由等離子體處理所述SiC半導體制造用部件；及
在所述SiC半導體制造用部件的被疊層的層至少一部分上，形成包括SiC的再生單元，
所述第一層和所述第二層具有不同的透射率值，
在所述第一層和所述第二層的邊界，色逐漸變化，
其中，在所述化學氣相沉積室內(nèi)，各個導入口群的位置不同，且
在沉積所述第一層和所述第二層的過程中溫度保持不變。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
